MC14529BCL试绘出它的幅频响应波特图,并求出中频增益、下限频率尻和上限频率凡及增益下降到1时的频率。

一单级阻容耦合共射放大电路的通频带是50Hz~50kHz,中频电压增益

|avm|=40dB,最大不失真交流输出电压范围是-3Ⅴ~+3V。若输人一个10sin(4π×1σJ)(mV)的正弦波信号,输出波形是否会产生频率失真和非线性失真?若不失真,则输出电压的峰值是多大?yo与yi间的相位差是多少?若vi=们sin(4π×25×103t)(mV),重复回答(1)中的问题;若vi=10“n(4π×sO×103t)(mⅤ),输出波形是否会失真?

电路如图题475所示,已知BJT的u=50,rbe=072kΩ。估算电路的下限频率;vim=10mⅤ,且f=fl,则|vom=?vo与vi间的相位差是多少?

一高频BJT,在JcQ=15mA时,测出其低频H参数为:rbe=11kΩ,`0=∞,特征频率央=100MHz,cⅡ=3pF,试求混合t形模型参数gm、、t、b、cb、。

电路如图题4.7~5所示,BJT的u=硐,C“c=3pF,Cb、=100pF,'时=100Ω。

画出高频小信号等效电路,求上限频率五I;(b)如RL提高10倍,问中频区电压增益、上限频率及增益-带宽积各变化多少倍?

电路如图441所示(射极偏置电路),设信号源内阻Rs=5kΩ,电路参数为:

R"=33kΩ,Rh2=⒛kΩ,Re=39kΩ,Rc=47Ω,RL=51kΩ,在Re两端并接一电容

Ce=50uF, ycc=5Ⅴ, 几Q≈033mA,/3。=120, rcc=300kΩ, rbb`=50Ω,卉=700MHz及Cb%=1pF。求:(1)输人电阻Ri;(2)中频区电压增益注ˇMh(3)上限频率九。

在题4.7,8所述放大电路中,C"=cb2=1uF,射极旁路电容Ce=10uF,求下限频率。

单级放大电路的瞬态响应,若将一穿度为1u的理想脉冲信号加到一单级共射放大电路(假设只有一个时双极结型三极管及放大咆路基础间常数)的输人端,画出下列三种情况下的输出波形。设‰为输人电压最大值:频带为.gO MHz;(2)频带为10MHz;(3)频带为1MHz。(假设yL=0) 

电路如图题4.8.2所示。当输人方波电流的频率的⒛0Hz时,计算输出电压的平顶降落;当平顶降落小)手^%莳,输人方波的最低频率为多少?

电路和参数与例sPE4.9.1中图4.4.1相同,设信号源内阻Rs=0。试运用sPICE作如下分析:当正弦电压信号源%的频率为1kHz、振幅为10mⅤ时,求输人、输出电压波形;求电压增益的幅频响应和相频响应;求电路的输人电阻Ri和输出电阻Ro。

电路如图4,3.7所示。设BJT的型号为2N2222,‰c=5V,c"=1uF,Rb=1MΩ,R。=3.3kΩ,Rs=0及b=210。去掉C吻和尽L,负载电容C.=4pF,直接接到BJT的集电极和地之间。当输人电压信号vs为-5mV~+5mⅤ的正负方波,其周期分别为100ms和01ms时,求%的波形。

试用sPICE程序求解题4.7.2的答案。

上一章分析了双极型三极管(BJT)及其放大电路。本章将介绍第二种主要类型的三端放大器件:场效应管①(FET)。F弓T有两种主要类型:金属-氧化物-半导体场效应管(MOsFET②)和结型场效应管(JFET③)。由于MOsFET制造工艺的成熟使它的体积可以做得很小,从而可以制造高密度的超大规模集成(ⅤLSI)电路和大容量的可编程器件或存储器。

结型FET中的结可以是一个普通的PN结,构成通常所说的JFET;也可是一个肖特基(schottky)势垒栅结,构成一个金属-半导体场效应管,即MESFET④。MEsFET可用在高速或高频电路中,例如微波放大电路。

本章先介绍MOSFET的结构和工作原理,然后再讨论FET放大电路的三种组态形式:共源极、共漏极和共栅极结构。MOsFET体积很小,在集成电路放大器中,常用增强型或耗尽型MOsFET做成电流源作为偏置电路或有源负载。因此,带有源负载的放大电路也是本章讨论的内容之一,读者应予以足够的重视。JFET放大电路相对应用较少,因此本章将它放到较次的位置。

应当注意到,与BJT的导电机制不同,FET只有一种载流子  电子或空穴导电,故称FET为单极型器件。

此外,BJT属电流控制电流型器件,对应的FET是电压控制电流型器件,而⒛世纪初发展起来的电真空器件同属电压控制电流型器件,人们不禁要问,FET为何不跨越BJT而直接从电真空器件过渡?这是由微电子电路的制造工艺所决定的。

也称“场效晶体管”。

MOsFET系Metal-Oxide-Semicondu°t°r Fle1d Effect Transistor的缩写。

JFET系Jllnction Reld Effect Tran⒍stor的缩写。

MEsFET系Metal-%micondu。tor FIeld Effeot Transistor的缩写。