Silicon Genesis(SiGen)公司最近开发出一种晶圆级单轴应变衬底技术，名为下一代应变硅或NGS，据称能避免与基于双轴应变硅或应变绝缘硅技术的硅锗相关的迁移率退化及高缺陷问题。

    作为一家绝缘硅工艺技术供应商，Silicon Genesis公司声称自己是首家在晶圆级而不是晶体管级成功采用单轴应变技术的公司。晶体管级单轴应变硅衬底技术曾经由芯片制造商如英特尔和德州仪器演示过，英特尔已经在其90纳米工艺中采用该技术。

    Silicon Genesis公司总裁兼首席执行官Francois J. Henley表示：“这种新材料提供了较之硅锗双轴应变晶圆技术大幅增强迁移率的潜力，与应变方法兼容。由于采用了我们专有的低温工艺技术，缺陷率非常低。它能作为外延层应变硅晶圆被直接集成到硅上或作为应变绝缘硅晶圆被集成到绝缘体上。”

    Henley补充说，生产单轴应变衬底的成本预计显著低于双轴技术，因为该工艺避免了耗费成本的厚硅锗层生长及松弛工序。

    Silicon Genesis公司计划与数家合作伙伴一起继续开发其下一代应变技术，并实现商业化。

    （转自  电子工程专辑）