27C1001-12FIWE控制写人时的情况。图中定时参数的含义为:

Jwc:写周期。反映连续进行两次写操作所需要的最小时间间隔。

JsA:地址建立时间。反映在写控制信号有效前,地址必须稳定一段时间。

TAw:写结束前地址保持时间。

TscE:片选持续时间。反映CE控制写人时应持续有效的时间。

JsD:写结束前数据建立时间。反映在写信号失效前,数据线上的数据应保持稳定的时间。

TH人:写结束后地址维持时间。

THD:写结束后数据维持时间。

大多数SRAM的读周期和写周期是相等的,一般为十几纳秒到几十纳秒。

截止到2004年9月,从世界上几大主流SRAM生产厂商(例如Cypress、

NEC、Hitachi、IDT和Samsung等)公布的产品信息来看,SRAM的最大容量已

达16 Mbit,存取时间最短8 ns。

三极管性能的简易测量,用指针式万用表电阻挡测rtE和基极开路,用指针式万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极c(PNP管

相反),此时测得c、c间电阻值大.则表明r小,测得c、e间电阻值小,则表明r cE()大。测Icr的过程如图5-12所示。图5-12测rcE的过程用手指代替基极电阻Rb,用以上方法测c、e间电阻.若阻值比基极开路时小得多,则表明值大。

用指针式万用表⒉FE挡测指针式万用表有/7FE挡.按万用表上规定的极型插入=极管即可测得电流放大系数,若很小或为零.表明三极管已损坏,可用电阻挡分别测两个PN结,确认是否有击穿或断路。

指针式万用表的h・E挡检测值方法如下。

拨到为FE挡。

将万用表置于ADJ挡.然后进行调零。

将被测二极管的c、b、e三个引脚分别插人相应的插孔中(TO-3封装的大功率管,可将其3个电极接出3根引线,再插人孔)。

从表头读出该管的电流放大系数。