PPMBLKRAM中都设计有电源控制电路(图中未画),当片选信号CE无效时,将降低SRAM内部的工作电压,使其处于微功耗状态。I/0电路主要包含数据输人驱动电路和读出放大器,以使SRAM内外的电平能更好地匹配。SRAM的工作模式如表7.2.1所示。

SRAM与ROM最主要的差别是存储单元。SRAM的存储单元是由锁存器(或触发器)构成的,因此SRAM属于时序逻辑电路。图7,2.2画出了存储阵列中第J列,第f行的存储单元结构示意图。点画线框中为六管SRAM存储单元,其中T1~T4构成一个SR锁存器用来存储1位二值数据。Xi为行译码器的输出,丐为列译码器的输出。T5、T6为本单元控制门,由行选择线Xj控制。XI=1,T5、T6导通,锁存器与位线接通;Xi=0,T5、T6截止,锁存器与位线隔离。T7、T:为一列存储单元公用的控制门,用于控制位线与数据线的连接状态,由列选择线丐控制。显然,当行选择线和列选择线均为高电平时,管导通时,发射极与集电极的电压也比硅管更低。由锗材料制成的PN结正向导通电压为0,2~0,3V,硅材料制成的PN结的电压为0.6~0,7V。锗三极管只要在发射极与基极之间加载0.2~0.3V的电压时,三极管就可以开始工作。

高频管和低频管 特征频率广1小于3MHz的三极管为低频管;特征频率FT大于3MHz的三极管为高频管。目前大多数用硅材料制成三极管,其特征频率一般都大于3MHz。

高、低频小功率管 高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz,功率小于1W。因工作频率比较高,主要应用于功率不高于1W的放大电路或高频振荡电路。高频小功率管常在收录机、收音机、电视机的高频电路中使用。

低频小功率三极管一般指功率小于1W,特征频率小于3MHz的二极管。主要应用于电子设备的功率放大电路、低中。部分进口高频小功率晶体管的主要参数如表5过所放大电路.