CTM8231T加正电压完成擦除操作,而在MOs管的栅极加高的正电压完成写人操作。因此写人前,首先要进行擦除。由于闪烁存储器的存储单元结构简单(只需要一个快闪叠栅MOs管),所以集成度比E2PRoM高。

上述可编程ROM的发展,实际上已经改变了ROM的最初含义―只读存储器,而既有读功能,又有写功能。特别是闪烁存储器的大容量、可读写、非易失性使之广泛应用于各种数码产品中。例如移动存储卡已经基本取代了PC中原来软盘的作用。为便于比较,将几种ROM性能列于表7.1.2中。

实际上 ,ROM的 结构除了前面所述的并行结构外还有串行结构，即地址串行输人 , 数据也串行输入输 出 (PROM有数据输入）．而且经常是地址和数据分时共用同一个引脚．由于串行结构大大减少了芯片的引脚数 ,所以其体积可以做得很小 ,通常用在速度要求不太高、便携的场合。例如日常生活中的各种IC卡就属于这种结构。

集成电路ROM

下面通过一ROM芯片例子AT27 C010,了解ROM的具体使用。该芯片是美国Atmel公司①生产的128K×8位的0TP EPROM。在读工作方式下,采用5Ⅴ电源,读出时间最短为45 ns,静态时工作电流小于10 uAo图7.1.4所示是它的内部结构框图和引脚图。图中7cc是读操作时的工作电压,‰p是数据写人时的编程电压(编程写人时,yPP=13v),0E是输出使能信号,PGM是编程选通信号。为便于控制还加有片选信号CE。NC为空脚。AT27 C010的工作模式如表7.1.3所示。

Atmel Corporauon的主要产品种类有存储器、智能卡IC等。AT27 C010资料选自该公司档0321K-EPROM-4/2004。