CTM-1050可编程ROM,系0ne Timc Programmable的缩写。

存储器、复杂可编程器件利现场可编程阵列,由图7.1.2和图7.1.3看出,存储阵列可用二极管构成,也可用MOs或BJT管构成。这类ROM也称为固定ROM或掩模ROM,器件生产厂家根据用户提供的ROM存储内容,在制造时,利用掩模技术把数据写入存储器中(构建存储阵列中字线与位线交叉处二极管的有、无),一旦ROM制成,其存储的数据也就固定不变了。

另外,存储阵列也可采用4.5.1节介绍的带金属熔丝的二极管、SIMOs管、F1otox MOs管和快闪叠栅MOS管等,制成各种可编程ROM。一次可编程存储器PRoM的存储阵列由带金属熔丝的二极管构成。出厂时,PROM存储内容全为1(或者全为0),用户可以根据自己的需要,利用通用或专用的编程器,将某些单元的熔丝烧断,来改写存储的内容。由于熔丝烧断后不能恢复,因此PROM只能改写一次。

光可擦除可编程存储器EPROM的存储阵列由SIMOS管构成,其数据写人需要通用或专用的编程器。EPRoM芯片的封装外壳装有透明的石英盖板,用紫外线或X射线照射15~20 min,便可擦除其全部内容。擦除后可重新写人数据。如今大多数PRoM实际上是不装透明石英盖板的EPRoM,因而无法擦除,只能写入一次,也称OTP①EPROM。

电可擦除可编程存储器E2PROM和闪烁存储器阵列分别由Flotox MOS管和快闪叠栅MOs管构成。E2PROM既具有ROM的非易失性,又具有写人功能。改写过程就是电擦除过程(在线擦除,即不需要将芯片从电路系统中取出。可重复擦写1万次以上),改写以字为单位进行。目前,大多数E2PROM芯片内部都备有升压电路。因此,只须提供单电源供电,便可进行读、擦除/写操作,这为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。但E2PROM中存储单元电路比EPROM的复杂,所以集成度比EPROM低。

闪烁存储器的擦除和写人是分开进行的,通过在快闪叠栅MOs管的源极计过程。这里主要介绍驱动继电器的集成电路ULN2003A。

ULN2003A驱动继电器的电路如图11-18所示。ULN2003A采用DIP-16或SSOP-16塑料封装。ULN2003A是一个非门电路,包含7个单元,单独每个单元驱动电流最大可达500mA,9脚可以悬空或接电源。

工作原理如下:当ULN2003A输入端为高电平时,相对应的输出口输出低电平,继电器线圈两端得电,继电器触点吸合;当ULN2003A输人端为低电平时,相对应的输出口呈高阻态,继电器线圈两端失电,继电器触点断开。