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MAX6445UK26L+T MOS管或BJT

发布时间:2019/10/12 17:51:30 访问次数:3308

MAX6445UK26L+T逻辑门电路的主要技术参数有输入和输出高、低电平的最大值或最小值,噪声容限,传输延迟时间,功耗,延迟一功耗积,扇入数和扇出数等。

在数字电路中,不论哪一种逻辑门电路,其中的关键器件是MOS管或BJT。它们均可以作为开关器件。影响它们开关速度的主要因素是器件内部各电极之间的结电容。

CMOs逻辑门电路是目前应用最广泛的逻辑门电路。其优点是集成度高,功耗低,扇出数大(指带同类门负载),噪声容限亦大,开关速度较高。CMOs逻辑门电路中,为了实现线与的逻辑功能,可以采用漏极开路门和三态门.

NMOs逻辑门电路结构简单,易于集成化,曾在大规模集成电路中应用较多。

TTL逻辑门电路是应用较广泛的门电路之一,电路由若干BJT和电阻组成。TTL反相器的输入级由BJT构成,输出级采用推拉式结构,其目的是为提高开关速度和增强带负载的能力。

BiCMOS是取MOS和TTL两者的优势,其开关速度较高,功耗亦较低。

利用肖特基二极管构成抗饱和TTL电路,可以提高开关速度。

已ECL逻辑门电路是以差分放大电路为基础的,它不工作在BJT的饱和

区,因而开关速度较高。其缺点是功耗较大,噪声容限低。


砷化镓逻辑门电路采用砷化镓作为半导体材料,其载流子的迁移率非常高,因而其工作速度比硅器件快得多,广泛应用于高频电路中。

在逻辑体制中有正、负逻辑的规定本书主要采用正逻辑。逻辑门的等效符号常用于简化电路的分析和设计.

在逻辑门的电路的实际应用中,有可能遇到不同类型门电路之间,门电路与负载之间的接口技术问题以及抗干扰工艺问题.正确分析与解决这些问题,是数字电路设计工作者应当掌握的.

用Verilog可以对逻辑门电路描述,即进行开关级建模。

MOS逻辑门电路


根据表题所列的三种逻辑门电路的技术参数,试选择一种最适合工作在高噪声环境下的门电路 。

求下列情况下TTL逻辑闸的扇出数 :(1)74LS门驱动同类门 ;(2)74LS门驱74ALS系列TTL门。


根据表题 所列的二种逻辑门电路的技术参数 ,计算出它们的延时一功耗积 ,并确定哪一种逻辑闸的性能最好 。


已知图题所示各MOSFET管的|vT|=2v,忽略电阻上的压降 ,试确定其工作状态(导通或截止).

习题中所用集成门电路的技术参数见附录A.




MAX6445UK26L+T逻辑门电路的主要技术参数有输入和输出高、低电平的最大值或最小值,噪声容限,传输延迟时间,功耗,延迟一功耗积,扇入数和扇出数等。

在数字电路中,不论哪一种逻辑门电路,其中的关键器件是MOS管或BJT。它们均可以作为开关器件。影响它们开关速度的主要因素是器件内部各电极之间的结电容。

CMOs逻辑门电路是目前应用最广泛的逻辑门电路。其优点是集成度高,功耗低,扇出数大(指带同类门负载),噪声容限亦大,开关速度较高。CMOs逻辑门电路中,为了实现线与的逻辑功能,可以采用漏极开路门和三态门.

NMOs逻辑门电路结构简单,易于集成化,曾在大规模集成电路中应用较多。

TTL逻辑门电路是应用较广泛的门电路之一,电路由若干BJT和电阻组成。TTL反相器的输入级由BJT构成,输出级采用推拉式结构,其目的是为提高开关速度和增强带负载的能力。

BiCMOS是取MOS和TTL两者的优势,其开关速度较高,功耗亦较低。

利用肖特基二极管构成抗饱和TTL电路,可以提高开关速度。

已ECL逻辑门电路是以差分放大电路为基础的,它不工作在BJT的饱和

区,因而开关速度较高。其缺点是功耗较大,噪声容限低。


砷化镓逻辑门电路采用砷化镓作为半导体材料,其载流子的迁移率非常高,因而其工作速度比硅器件快得多,广泛应用于高频电路中。

在逻辑体制中有正、负逻辑的规定本书主要采用正逻辑。逻辑门的等效符号常用于简化电路的分析和设计.

在逻辑门的电路的实际应用中,有可能遇到不同类型门电路之间,门电路与负载之间的接口技术问题以及抗干扰工艺问题.正确分析与解决这些问题,是数字电路设计工作者应当掌握的.

用Verilog可以对逻辑门电路描述,即进行开关级建模。

MOS逻辑门电路


根据表题所列的三种逻辑门电路的技术参数,试选择一种最适合工作在高噪声环境下的门电路 。

求下列情况下TTL逻辑闸的扇出数 :(1)74LS门驱动同类门 ;(2)74LS门驱74ALS系列TTL门。


根据表题 所列的二种逻辑门电路的技术参数 ,计算出它们的延时一功耗积 ,并确定哪一种逻辑闸的性能最好 。


已知图题所示各MOSFET管的|vT|=2v,忽略电阻上的压降 ,试确定其工作状态(导通或截止).

习题中所用集成门电路的技术参数见附录A.




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