RJZ-0905S由于CMOs门电路输出级的互补对称性,其rPLI和JP肌相等。有时也采用平均传输延迟时间这一参数,即rpd=(莎pLH+%HL)/2。例如,CMOs与非门74HC00在5V典型工作电压时的rpLH=7ns,tphl=7ns,tpd=(7+7)ns/2=7ns。在图3.1.2中还标出了上升时间rr和下降时间rF c表3,1,3所示为几种CMOs集成电路在典型工作电压时的传输延迟时间,由表可见,低电压和超低电压电路的工作速度要快得多。

表3.1,3 几种CMOS电路传输延迟时间

功耗是门电路重要参数之一。功耗有静态和动态之分。所谓静态功耗指的是当电路的输出没有状态转换时的功耗。静态时,CMOs电路的电流非常小,使得静态功耗非常低,所以CMOS电路广泛应用于要求功耗较低或电池供电的设各,例如便携计算机、手机和掌上电脑等。这些设各在没有输入信号时,功

耗非常低。

CMOs电路在输出发生状态转换时的功为动态功耗。它主要由两部分组成。其中一部分是由于电路输出状态转换的瞬间,其等效电阻比较小,从而导致有较大的电流从电源经CMOS电路流人地。这部分功耗可由下式表示

PT=CPDV2DDF

式中F为输出信号的转换频率。VDD为供电电源。CPD称为功耗电容,可以在数

据手册中查到,74HC系列为20pF,74LVCC系列为15pF。

动态功耗的另一部分是因为CMOS管的负载通常是电容性的,当输出由高电平到低电平,或者由低电平到高电平转换时,会对电容进行充、放电,这个过程将增加电路的损耗。这部分动态功耗为

PL=CLV2DDF

式中CL为负载电容。由此得到CMOS电路总的动态功耗为

PD=(CPD+CL)V2DDF       (3・1・3)

从上式可见,CMOs动态功耗正比于转换频率和电源电压的平方。当工作频率比较高时,CMOs门的功耗可能会超过TTL门。在设计CMOs电路时,选用低电源电压器件,例如3.3Ⅴ供电电源74LVC系列或1.8供电电源74AUC系列,以降低功耗。