AUIRFR3607发射极与集电极的电压也比硅管更低。由锗材料制成的PN结正向导通电压为0,2~0,3V,硅材料制成的PN结的电压0.6~0,7V。锗三极管只要在发射极与基极之间加载0.2~0.3V的电压时,三极管就可以开始工作。

硅管反向漏电流比锗管小，输出特性平直，耐压比较高，温度特性较好。

高频管和低频管 特征频率广1小于3MHz的三极管为低频管;特征频率FT大于3MHz的三极管为高频管。目前大多数用硅材料制成三极管,其特征频率一般都大于3MHz。

高、低频小功率管 高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz,功率小于1W。因工作频率比较高,主要应用于功率不高于1W的放大电路或高频振荡电路。高频小功率管常在收录机、收音机、电视机的高频电路中使用。

低频小功率三极管一般指功率小于1W,特征频率小于3MHz的二极管。主要应用于电子设备的功率放大电路、低频放大电路中。部分进口高频小功率晶体管的主要参数如表5-4所示 。

低功率放大电路用的小功率管一般工作在小信号状态，三极管的放大特性近于线性，可以将三极管等效为线性器件。