ABM3-50.000MHZ-D2Y-F-T整流二极管的作用就是利用二极管单向导电特性,把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。通常情况下,IF在1A以上的整流二极管采用金属壳封装.以利于散热;IF在1A以下的整流二极管采用全塑料封装.

硅整流二极管除主要应用于电源电路作为整流外,还可以在电路中用作限幅、保护、钳位等。常用整流二极管主要是1N、2CZ系列,常用整流二极管的参数如表4-1所示。

二极管在电路原理图中或PCB板上的符号为“V”或“VD”,稳压三极管的符号为“∨S”。

整流二极管的主要参数

最大平均整流电流(IF)。指整流二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。

最大平均整流电流由PN结的结面积和散热条件决定。 使用时应注意通过整流二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。

最大反向工作电压(UR)。指整流二极管两端允许施加的最大反向电压。

通常取反向击穿电压U:的一半作为UR。

反向电流(IR)。指整流二极管未击穿工作在反向时的电流值。

击穿电压(U:)。指反向电流条件下出现击穿现象时的反向电压值。

反向恢复时间(r re)。指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

最高工作频率(Fm)。由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过Fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。

零偏压电容(结电容)CO。指整流二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。

桥堆(整流桥) 整流电路通常为桥式整流电路,整流桥堆是由四只整流硅芯片作桥式连接而成,内部的四个管子一般是挑选配对的,所以其性能较接近。

全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的,正向电流有0,5A、1A、1,5A、2A、2,5A、3A、5A、 10A、 20A、 35A、 50A等, 耐压值有 25V、 50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、 1000V等。整流桥堆的外形如图1-4所示。整流桥有扁形、圆形、方形、板凳形(直插、贴片)等,有GPP与0/J结构之分。最大整流电流从0.5A到100A,最高反向峰值电压从50V到1600V。