联电首推0.18微米32伏高压制程工艺
发布时间:2007/8/31 0:00:00 访问次数:443
联电(UMC)8月18日宣布推出晶圆专工业界最先进的0.18微米嵌入式高压制程技术。这项制程技术能满足日益成长的可携式液晶显示器(LCD)市场的需求，为闸极驱动、源极驱动及控制器提供不同的电压，并且因嵌入4平方微米超高密度SRAM组件，得以产出较小面积的单一芯片。此外，仅需多加一层光罩的程序，就可增加可多次编程(MTP)非挥发性内存(NVM)的功能。
联电客户制程整合部部长柯宗羲表示，“联电持续推出领先业界的主流以及特殊制程技术，以服务各个领域的客户。我们非常荣幸成为第一个提供0.18微米嵌入式高压制程技术的晶圆专工公司，也将持续于研发方面投注心力。”
可多次编程内存功能具有SRAM修补以及微调每一个IC的性能，确保晶圆上的每一个芯片性能的一致性，也预期能降低整体成本与上市时程。由于非挥发性内存可多次编程，因此可提供客户更大的弹性，以因应各个应用产品的不同来设定／重新设定IC。
要驱动LCD应用产品例如手机显示器的晶体管，高压制程技术是必备条件。此外，联电的日本附属晶圆专工公司UMCJ自从今年初开始，已经持续为客户产出0.18微米20伏特高压产品。
联电所提供的单一芯片解决方案代表了这些产品可以用更小的尺寸来制造。联电预期可在2004年底开始利用0.18微米32伏特制程技术试产客户的LCD芯片。
（转自 集成电路产业网新闻管理部）
联电(UMC)8月18日宣布推出晶圆专工业界最先进的0.18微米嵌入式高压制程技术。这项制程技术能满足日益成长的可携式液晶显示器(LCD)市场的需求，为闸极驱动、源极驱动及控制器提供不同的电压，并且因嵌入4平方微米超高密度SRAM组件，得以产出较小面积的单一芯片。此外，仅需多加一层光罩的程序，就可增加可多次编程(MTP)非挥发性内存(NVM)的功能。
联电客户制程整合部部长柯宗羲表示，“联电持续推出领先业界的主流以及特殊制程技术，以服务各个领域的客户。我们非常荣幸成为第一个提供0.18微米嵌入式高压制程技术的晶圆专工公司，也将持续于研发方面投注心力。”
可多次编程内存功能具有SRAM修补以及微调每一个IC的性能，确保晶圆上的每一个芯片性能的一致性，也预期能降低整体成本与上市时程。由于非挥发性内存可多次编程，因此可提供客户更大的弹性，以因应各个应用产品的不同来设定／重新设定IC。
要驱动LCD应用产品例如手机显示器的晶体管，高压制程技术是必备条件。此外，联电的日本附属晶圆专工公司UMCJ自从今年初开始，已经持续为客户产出0.18微米20伏特高压产品。
联电所提供的单一芯片解决方案代表了这些产品可以用更小的尺寸来制造。联电预期可在2004年底开始利用0.18微米32伏特制程技术试产客户的LCD芯片。
（转自 集成电路产业网新闻管理部）
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