国际半导体产能统计（SICAS）日前发布了2004年第二季度（4月～6月）全球半导体产能和开工率。

    MOS IC产能按200mm晶圆换算相当于1297千枚/周，与上一季度（2004年第一季度）相比，增加了2.5%，与去年同期相比增加了8.4%，持续高速增长。带动整体增长的是采用不足0.16μm尖端技术的产能的大幅增加（图1）。2004年第二季度不同设计工艺的产能与上一季度相比的增长率方面，0.7μm以上为－1.3%，0.4μm～0.7μm为＋3.0%， 0.3μm～0.4μm为＋1.7%，0.2μm～0.3μm为－3.9%，0.16μm～0.2μm为－10.6%，不足0.16μm工艺为＋14.0%（图2）。不足0.16μm工艺的产能占MOS IC整体产能的比率方面，2004年第一季度为29.7%，而2004年第二季度增加到了约33.0%。

    2004年第二季度的MOS IC整体开工率约为95.7%，与上一季度相比，增加了1.7%。从不同设计工艺的生产开工率来看，0.7μm以上工艺为91.8%，0.4μm～0.7μm为95.9%，0.3μm～0.4μm为95.3%，0.2μm～0.3μm为95.4%，0.16μm～0.2μm为93.3%，不足0.16μm工艺的生产开工率为98.7%。其中，0.16μm以下的开工率最高。

    不同口径晶圆的产能方面引人注目的是300mm晶圆的增长。2004年第二季度的产能为5万1200枚/周（300mm晶圆的实际枚数），与上一季度相比有很大幅度的增长，增加了51.2%（图3）。300mm晶圆半导体工场的开工率为95.7%。