静电保护

   功率MOSFET和IGBT的栅极的绝缘氧化层很薄,在静电较强的场合,容易引起静电击穿,造成栅源短路。此外,静电击穿电流易将栅源的金属化薄膜铝熔化, NTD20P06LT4G造成栅极或源极开路,故应采取如下3个方面的措施。

   ①应存放在防静电包装袋、导电材料包装袋或金属容器中,不能放在塑料袋或纸袋中。取用器件时,应拿器件管壳,而不要拿引线。

   ②将开关管接入电路时,△作台和烙铁都必须良好接地,焊接时电烙铁功率应不超过25W,最好采用内热式烙铁,先焊栅极,后焊漏极与源极或集电极和发射极,最好使用12~⒛V的低电压烙铁,且前端作为接地点。

   ③在测试开关管时,测量仪器和工作台都必须良好接地,并尽量减少相同仪器的使用次数和使用时间,开关管的3个电极未全部接人测试仪器或电路前,不要施加电压,改换测试范围时,电压和电流都必须先恢复到零。