基极驱动信号到来之前,发射结和集电结都处于反偏状态,它们的空间电荷区较宽。 EUP3510VIR1当施加正向基极电压时,虽然基极电流立即上升到Ⅰ:,但发射结仍然处于反偏状态。r:提供空穴,填充发射结空间电荷区,抵消部分静电荷,使空间电荷区变窄,发射结反偏变小。只有发射结接近正向偏置时,扌c才开始上升,在这段时间内有J:而几乎无fc。由于发射结和集电的势垒电容效应,只有势垒电容充电到一定程度,BJT才开始导通,所以存在延迟时间幻。此时,发射结进入正偏,此后,正偏不断增大,fc不断上升,BJT接近或进人饱和区。r:一方面继续给发射结和集电结势垒电容充电,另一方面使基区的电荷积累增加,并且还补充基区复合所消耗的载流子,这就存在着上升时间rr。当基极电压变为负值时,基极电流变为负,但Jc不立即变小,而当基区的电荷减少到一定程度时,丿c才开始下降,所以存在存储时间rs。当发射结由正偏变为反偏时,集电结和发射结电荷区变宽,fc下降较快,这就有下降时间rf。

   封T的开关时间对它的应用有较大的影响,选用BJT时,应注意其开关频率,应使输人脉冲持续时间大于BJT开关时间。