IMEC最近演示了在高K门堆栈顶部集成完全硅化的NiSi门，并声称这项潜在性的突破有望使45纳米制造工艺的开发成为现实。

　　这项研究是对高K门堆栈的补充，以取代二氧化硅。由于多晶耗散效应，目前统领CMOS工艺标准的多晶硅门已成为45纳米及以下节点工艺CMOS器件的拦路虎。

　　取代物是金属门材料。但对于PMOS和NMOS晶体管需要采取不同的金属材料和相应的势垒层，以平衡阈值电压和现有的复杂性问题。IMEC高级器件工程师Stefan Kubicek表示，金属门实现的最早方法是完全硅化的多晶硅门，也称为FUSI，在电路中形成硅化镍门。它也可以被视为多晶硅门的延伸。除此之外，因0.5V区阈值电压对称，FUSI还可被用于PMOS和NMOS晶体管。

　 “采用多晶硅无法满足蓝图要求，但FUSI轻松显示出了解决方案，”IMEC表示。然而FUSI目前还存在一些问题，原因还有待研究。IMEC研究人员Marc Heyns表示，“长远来看，尤其是高性能要求，将需要全金属门。”