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​ 电力电子器件的结构、特性和主要参数

发布时间:2019/7/14 18:47:34 访问次数:1332

    电力电子器件的结构、特性和主要参数

   1 功率二极管的结构 LD3985M25R

    功率二极管的外形、结构和符号如图⒈1所示,功率二极管的核心部分就是一个PN结,在PN结两端加上电极引线和管壳后就制成了功率二极管。

     


   2功率二极管的工作原理

   由P型半导体和N型半导体结合一体,其中,N型半导体区电子浓度大,P型半导体区空穴浓度大,因此,N区电子要向P区扩散与P区空穴复合,在N区边界侧留下正离子层,P区空穴要向N区扩散与N区电子复合,在P区边界侧留下负离子层,在交界处渐渐形成空间电荷区,正、负离子层形成内电场,促进少数载流子漂移运动,即N区空穴漂移到P区,P区电子漂移到N区,同时,阻碍多数载流子的扩散运动。最终,扩散运动和漂移运动达到动态平衡,形成PN结。

   当外加正向电压(与内电场方向相反)时,多数载流子的扩散运动得到增强,少数载流子漂移运动受到抑制,形成正向电流。当外加反向电压(与内电场方向相同)日寸,多数载流子的扩散运动受到抑制,少数载流子漂移运动得到增强,形成很小反向电流,因此PN结具有单向导电性,二极管是一个正方向导电、反方向阻断的电力电子器件。




    电力电子器件的结构、特性和主要参数

   1 功率二极管的结构 LD3985M25R

    功率二极管的外形、结构和符号如图⒈1所示,功率二极管的核心部分就是一个PN结,在PN结两端加上电极引线和管壳后就制成了功率二极管。

     


   2功率二极管的工作原理

   由P型半导体和N型半导体结合一体,其中,N型半导体区电子浓度大,P型半导体区空穴浓度大,因此,N区电子要向P区扩散与P区空穴复合,在N区边界侧留下正离子层,P区空穴要向N区扩散与N区电子复合,在P区边界侧留下负离子层,在交界处渐渐形成空间电荷区,正、负离子层形成内电场,促进少数载流子漂移运动,即N区空穴漂移到P区,P区电子漂移到N区,同时,阻碍多数载流子的扩散运动。最终,扩散运动和漂移运动达到动态平衡,形成PN结。

   当外加正向电压(与内电场方向相反)时,多数载流子的扩散运动得到增强,少数载流子漂移运动受到抑制,形成正向电流。当外加反向电压(与内电场方向相同)日寸,多数载流子的扩散运动受到抑制,少数载流子漂移运动得到增强,形成很小反向电流,因此PN结具有单向导电性,二极管是一个正方向导电、反方向阻断的电力电子器件。




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