集电极-发射极饱和电压(脉冲法)
发布时间:2019/6/23 17:39:57 访问次数:5245
集电极-发射极饱和电压(脉冲法)
1)测量集电极一发射极饱和电压(见图5-36)
2)电路说明和要求
电子开关S3通常是闭合的,只在脉冲信号源G:给它加脉冲信号时它才断开。 G6D-1A-ASI-DC5V
恒流源Gl的内阻应比被测晶体管的内阻大得多。
恒流源G的内阻应比/几的值大得多
3)注意事项
直流电源对负载变化的响应时间应小于被测晶体管的“导通”时间。
规定脉冲信号源的脉冲宽度和占空比应足够小,以便在被测晶体管中不产生显著的热耗散。
直流电源0的最大电压不应超过晶体管的集电极-发射极击穿电压。
4)测试步骤
(1)将温度调到规定值。
(2)断开开关Sl,坝刂试插座上不装晶体管,发射极和基极之间短路,调节电流源G1直到电流表A1上的读数等于r:的规定值。断开开关S2,测试插座上不装晶体管,发射极和集电极之间短路,调节电流源G直到电流表A2上的读数等于rc的规定值。将被测晶体管插入插座,开关S1和劫闭合,用叱使s~aェ作。导通时,示波器上观察到的波形平坦部分的稳定电压值就是/c Es缸。
5)规定条件
环境或管壳温度(几mb或民asc);
基极电流;
集电极电流;
集电极-发射极饱和电压(脉冲法)
1)测量集电极一发射极饱和电压(见图5-36)
2)电路说明和要求
电子开关S3通常是闭合的,只在脉冲信号源G:给它加脉冲信号时它才断开。 G6D-1A-ASI-DC5V
恒流源Gl的内阻应比被测晶体管的内阻大得多。
恒流源G的内阻应比/几的值大得多
3)注意事项
直流电源对负载变化的响应时间应小于被测晶体管的“导通”时间。
规定脉冲信号源的脉冲宽度和占空比应足够小,以便在被测晶体管中不产生显著的热耗散。
直流电源0的最大电压不应超过晶体管的集电极-发射极击穿电压。
4)测试步骤
(1)将温度调到规定值。
(2)断开开关Sl,坝刂试插座上不装晶体管,发射极和基极之间短路,调节电流源G1直到电流表A1上的读数等于r:的规定值。断开开关S2,测试插座上不装晶体管,发射极和集电极之间短路,调节电流源G直到电流表A2上的读数等于rc的规定值。将被测晶体管插入插座,开关S1和劫闭合,用叱使s~aェ作。导通时,示波器上观察到的波形平坦部分的稳定电压值就是/c Es缸。
5)规定条件
环境或管壳温度(几mb或民asc);
基极电流;
集电极电流;
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