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集电极-发射极饱和电压(脉冲法)

发布时间:2019/6/23 17:39:57 访问次数:5245

   集电极-发射极饱和电压(脉冲法)

   1)测量集电极一发射极饱和电压(见图5-36)


   2)电路说明和要求

   电子开关S3通常是闭合的,只在脉冲信号源G:给它加脉冲信号时它才断开。 G6D-1A-ASI-DC5V

   恒流源Gl的内阻应比被测晶体管的内阻大得多。

   恒流源G的内阻应比/几的值大得多

   3)注意事项

   直流电源对负载变化的响应时间应小于被测晶体管的“导通”时间。

规定脉冲信号源的脉冲宽度和占空比应足够小,以便在被测晶体管中不产生显著的热耗散。

   

   直流电源0的最大电压不应超过晶体管的集电极-发射极击穿电压。

   4)测试步骤

   (1)将温度调到规定值。

   (2)断开开关Sl,坝刂试插座上不装晶体管,发射极和基极之间短路,调节电流源G1直到电流表A1上的读数等于r:的规定值。断开开关S2,测试插座上不装晶体管,发射极和集电极之间短路,调节电流源G直到电流表A2上的读数等于rc的规定值。将被测晶体管插入插座,开关S1和劫闭合,用叱使s~aェ作。导通时,示波器上观察到的波形平坦部分的稳定电压值就是/c Es缸。

   5)规定条件

   环境或管壳温度(几mb或民asc);

  基极电流;

  集电极电流;




   集电极-发射极饱和电压(脉冲法)

   1)测量集电极一发射极饱和电压(见图5-36)


   2)电路说明和要求

   电子开关S3通常是闭合的,只在脉冲信号源G:给它加脉冲信号时它才断开。 G6D-1A-ASI-DC5V

   恒流源Gl的内阻应比被测晶体管的内阻大得多。

   恒流源G的内阻应比/几的值大得多

   3)注意事项

   直流电源对负载变化的响应时间应小于被测晶体管的“导通”时间。

规定脉冲信号源的脉冲宽度和占空比应足够小,以便在被测晶体管中不产生显著的热耗散。

   

   直流电源0的最大电压不应超过晶体管的集电极-发射极击穿电压。

   4)测试步骤

   (1)将温度调到规定值。

   (2)断开开关Sl,坝刂试插座上不装晶体管,发射极和基极之间短路,调节电流源G1直到电流表A1上的读数等于r:的规定值。断开开关S2,测试插座上不装晶体管,发射极和集电极之间短路,调节电流源G直到电流表A2上的读数等于rc的规定值。将被测晶体管插入插座,开关S1和劫闭合,用叱使s~aェ作。导通时,示波器上观察到的波形平坦部分的稳定电压值就是/c Es缸。

   5)规定条件

   环境或管壳温度(几mb或民asc);

  基极电流;

  集电极电流;




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