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晶闸管的主要参数

发布时间:2019/6/22 18:46:47 访问次数:1278

   晶闸管的主要参数

   (1)通态电压(/T,/TM):在规定的主电流和栅极电流条件下,可控硅A极与K极间的电压。 ECA1085-33-A9F

   (2)维持电流(fH):在控制极开路且规定的环境温度下,晶闸管维持导通时的最小阳极电流。

   (3)擎住电流(rL):晶闸管从断态转换到通态,并移去触发信号,能维持通态的最小主电流。

   (4)门极触发电压和触发电流(吒T,凡T):室温下,晶间管从阻断到完全导通时所需最小的控制极直流电压和电流。触发电压一般为1~5V,触发电流一般为几十至几百毫安。

   (5)通态电流临界上升率(dF/dr):在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。

   (6)断态电压临界上升率(d1・/d矽):在规定条件下,不导致从断态到通态转换的最大主电压上升率。


   晶闸管的主要参数

   (1)通态电压(/T,/TM):在规定的主电流和栅极电流条件下,可控硅A极与K极间的电压。 ECA1085-33-A9F

   (2)维持电流(fH):在控制极开路且规定的环境温度下,晶闸管维持导通时的最小阳极电流。

   (3)擎住电流(rL):晶闸管从断态转换到通态,并移去触发信号,能维持通态的最小主电流。

   (4)门极触发电压和触发电流(吒T,凡T):室温下,晶间管从阻断到完全导通时所需最小的控制极直流电压和电流。触发电压一般为1~5V,触发电流一般为几十至几百毫安。

   (5)通态电流临界上升率(dF/dr):在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。

   (6)断态电压临界上升率(d1・/d矽):在规定条件下,不导致从断态到通态转换的最大主电压上升率。


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