倒装焊拉脱试验是测量采用面键合结构进行连接的半导体芯片
发布时间:2019/5/23 21:00:30 访问次数:2095
试验的定义与理解
倒装焊拉脱试验是测量采用面键合结构进行连接的半导体芯片与基座之间的键合强度,GAL20V8B-15QPN 该试验方法是评价面键合质量水平行之有效的方法之一。
试验方法的内容
1,设备
本试验所需的设备能测量两倍于规定的最低极限应力值的设备来提供外加应力的校准测量和指示,其准确度为±5%或±2.45N(取最大值)。
2.程序
应按下列步骤进行试验。应统计所有的芯片拉力,且应遵循规定的抽样接收和附加的样品制备,适用时由规定的LTPD确定待试验芯片数日,而不是键合数。对于混合和多片器件应采用最少4个芯片;若器件不足4个芯片,应采用至少两个最终器件的所有芯片。如果件采用了提高键合强度的密封剂、黏合剂或其他材料,应在采用这些材料之前进行所有的拉力试验。
试验的定义与理解
倒装焊拉脱试验是测量采用面键合结构进行连接的半导体芯片与基座之间的键合强度,GAL20V8B-15QPN 该试验方法是评价面键合质量水平行之有效的方法之一。
试验方法的内容
1,设备
本试验所需的设备能测量两倍于规定的最低极限应力值的设备来提供外加应力的校准测量和指示,其准确度为±5%或±2.45N(取最大值)。
2.程序
应按下列步骤进行试验。应统计所有的芯片拉力,且应遵循规定的抽样接收和附加的样品制备,适用时由规定的LTPD确定待试验芯片数日,而不是键合数。对于混合和多片器件应采用最少4个芯片;若器件不足4个芯片,应采用至少两个最终器件的所有芯片。如果件采用了提高键合强度的密封剂、黏合剂或其他材料,应在采用这些材料之前进行所有的拉力试验。