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破坏性物理分析(DPA)评价的取样

发布时间:2019/5/23 20:36:44 访问次数:2876

   破坏性物理分析(DPA)评价的取样

  可采用本试验方法规定的试验条件和标准对最终产品、品圆或芯片作D队评价。 GAL16LV8C-10LJN

   SEM检查期间的批量控制

   在选择了SEM检查的芯片后,承制方有两种可能的选择。

   1)第一种选择

   承制方对生产批继续正常的工艺流程,但这将要冒风险,即如果进行的sEM检查揭示出金属化层中有缺陷,其产品将会被剔除和拒收。如果选择本条,承制方应该有适当的可追溯性文件来证明它已对被加工材料实施了有效控制和剔除。

   2)第二种选择

   在继续其I艺流程之前,承制方先把芯片和晶圆存储在合适的环境中,直到完成了SEM检查并得到了可继续其I艺流程的批准。

   样品准各

   适用时,应采用不损伤其下层待检查的金属化层的腐蚀工艺(如化学或等离子腐蚀)去除芯片表面的玻璃钝化层。检查时固定样品的方式应与检查用的设备相适应。应注意采取措施不要破坏待检查样品的特征。如果能得到合适的分辨率和信噪比,样品检查时可不用表面敷层。若需要采用表面敷层,应采用厚度不超过1Ollm的用气相淀积或溅射方式形成的合适导电材料(如金)薄层c应控制敷层淀积工艺保证在此过程中不引入其他外来物。

   破坏性物理分析(DPA)评价的取样

  可采用本试验方法规定的试验条件和标准对最终产品、品圆或芯片作D队评价。 GAL16LV8C-10LJN

   SEM检查期间的批量控制

   在选择了SEM检查的芯片后,承制方有两种可能的选择。

   1)第一种选择

   承制方对生产批继续正常的工艺流程,但这将要冒风险,即如果进行的sEM检查揭示出金属化层中有缺陷,其产品将会被剔除和拒收。如果选择本条,承制方应该有适当的可追溯性文件来证明它已对被加工材料实施了有效控制和剔除。

   2)第二种选择

   在继续其I艺流程之前,承制方先把芯片和晶圆存储在合适的环境中,直到完成了SEM检查并得到了可继续其I艺流程的批准。

   样品准各

   适用时,应采用不损伤其下层待检查的金属化层的腐蚀工艺(如化学或等离子腐蚀)去除芯片表面的玻璃钝化层。检查时固定样品的方式应与检查用的设备相适应。应注意采取措施不要破坏待检查样品的特征。如果能得到合适的分辨率和信噪比,样品检查时可不用表面敷层。若需要采用表面敷层,应采用厚度不超过1Ollm的用气相淀积或溅射方式形成的合适导电材料(如金)薄层c应控制敷层淀积工艺保证在此过程中不引入其他外来物。

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