破坏性引线键合强度试验 QG82915GV

   试验后对于指定的试验条件、组成和结构所要求的最小键合强度,若施加应力小于表4-16的规定时出现键合点分离则视为失效。其失效分类如下:

   (1)内引线键合。

   ①在因键合工艺而使引线截面减小的位置上引线断开。

   ②在其他位置上引线断开。

   ③在引线和芯片金属化焊点间失效。

   ④在封装基片和外引线键合区或非芯片位置上的键合失效。

   ⑤金属化层从芯片表面浮起。

   ⑥金属化层从基片或封装外引线键合区表面浮起。

   ⑦基片破裂。

   (2)连接印制板或基片的外部键合。

   ①在变形处(受键合影响的部位)的外引线或引出端断开。

   ②在未受键合影响的外引线或引出端断开。

   ③在键合界面(在已进行了键合的外引线、引出端和印制板或封装基片导体间的低温焊熔焊交界面)的大效。

   ④金属化层从印制板或封装基片上浮起。

   ⑤印制板或基片内部断裂。

   (3)倒装焊结构的键合。

   ①键合材料或基片键合区的失效。

   ②芯片或基片破裂。

   ③金属化层浮起。