制样镜检适用性的拓展

   制样镜检参考的标准主要有GJB4⒆7《军用电子元器件破坏性物理分析方法》和GJB4152《多层瓷介电容器及其类似元器件剖面制各及检验方法》等。 QCA7411L-AL3C一般来讲,制样镜检多针刈电容器、电阻器、电感器及电连接器等进行,在GJB们27中有对应的详细制样方法和缺陷判据,雨i对于大多数分立器件、集成电路等则没有规定。但在IC集成电路检验和失效分析中,有时也参考制样镜检的方法,对其进行剖磨以便检查内部结构。由于分立器件和集成电路的结构更为复杂,样品材质更为多样,不同结构和材料的力学性能又极不相同。囚此,对制样镜检提出了更高和更复杂的要求,在其金相制样过程中,需要根据观察部位的结构和材质不同,更为慎迢地选择Lsl化剂、磨料、抛光料,对剖磨时问和力度的控制也要更加精确。对这典样品的金相制样,实际上不可能制订一个通用的剖磨方案。此外,对IC集成电路进行制样镜检,往往只是针对部分区域进行,为了能为迅速找到观察切面,往往需要先对其进行机械切割,以便尽快接近目标位置.

    IC集成电路中,使用比较多的是硅芯片。硅是一种脆而硬的材料,如果用粗碳化硅砂纸进行剖磨,较粗的磨料颗粒容易使硅试样的边缘受到很大的冲击损伤,产生碎裂。因此,对于硅试样,往往仅采用细度磨料进行磨光,必要时还需使用特殊的夹具来保护试样边缘免受损伤。陶瓷封装的器件也是r集成电路中比较常见的组成部分,如果使用碳化硅磨料进行剖磨,由于碳化硅的硬度与封装陶瓷硬度相近,但是却脆得多,容易产生细长的碎屑并嵌入焊料中而不易除去,造成试样表面的划痕。此时可以选用形状更接近块状的金刚石磨料,其优异的材料去除能力可以使陶瓷一焊料界面保持平坦,即使碎屑嵌入了焊料,也容易被除去。在抛光时,需根据观察部位的结构和材料来选择适宜的抛光悬浮液,如胶体状二氧化硅悬浮液适宜用于抛光硅、玻璃、氧化物和铝等,在一定程度上也可以用于铜。但是如果用于镀镍层和金球,则会产生塑性流变c囚此,如果要观察硅晶片和镀镍的铜引线支架之间的连接部位,选择氧化铝悬浮液更容易获得平坦而无划痕的表面。