去除试样样品氦气吸附
发布时间:2019/5/16 20:28:53 访问次数:1634
去除试样样品氦气吸附
GJB548B-20Ⅱ方法1014中3,1,1明确规定:“将待测样品置于密封室内,然后在规定的压力下用1O0%的氦气对密封罐加压,经过规定的时间(rl)后去除压力, H5TQ2G63BFR-RDC样品从真空密封罐内取出后应去除样品表面吸附的氦气”。但却没有规定用何种方法去除。试验表明氦气吸附是影响检测结果准确性的重要因素。
干燥空气流动法除去氦气吸附的效果较高温存储法效果差。对于诸如陶瓷封装的多孔结构壳体即使延长时间,去除效果也未见明显增加,与长期放置在空气中去除氦气效果相同。但对常规封装材料有明显作用,并且干燥空气流动法的优点在于操作快捷,未对样品产生额外应力,去除氦气吸附效率也较高。为了方便对集成电路密封细检漏去除氦气吸附方法进行选择,其说明见表⒋4。
表⒋4 集成电路密封细检漏去除氦气吸附方法
去除试样样品氦气吸附
GJB548B-20Ⅱ方法1014中3,1,1明确规定:“将待测样品置于密封室内,然后在规定的压力下用1O0%的氦气对密封罐加压,经过规定的时间(rl)后去除压力, H5TQ2G63BFR-RDC样品从真空密封罐内取出后应去除样品表面吸附的氦气”。但却没有规定用何种方法去除。试验表明氦气吸附是影响检测结果准确性的重要因素。
干燥空气流动法除去氦气吸附的效果较高温存储法效果差。对于诸如陶瓷封装的多孔结构壳体即使延长时间,去除效果也未见明显增加,与长期放置在空气中去除氦气效果相同。但对常规封装材料有明显作用,并且干燥空气流动法的优点在于操作快捷,未对样品产生额外应力,去除氦气吸附效率也较高。为了方便对集成电路密封细检漏去除氦气吸附方法进行选择,其说明见表⒋4。
表⒋4 集成电路密封细检漏去除氦气吸附方法
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