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sRAM器件的单粒子翻转测试系统

发布时间:2019/5/15 20:24:57 访问次数:4718

   sRAM器件的单粒子翻转测试系统

   图3-22所示为sRAM器件单粒子翻转效应测试系统示意图。单片机控制被试sRAM器件的读/写,以及测试图形与预定图形的对比,并将比对结果发送给上位机并在计算机屏幕中显示出来。

   sRAM器件的单粒子翻转测试可以分为静态测试模式和动态测试模式两类,具体如下:GAL20V8B-10LPI

   静态测试模式

   试验前器件预先写入特定的测试图形,试验开始后按顺序读出每个地址位的图形与预先图形进行比较,如果存在刀不同,sEU翻转计数为刀,通过UsB数据传输到远程控制机上显示出来。数据出现翻转后,作为后续的基础状态,后续读出的数据与之比较,相同则没有翻 转,如果存在仰不同,sEU翻转计数为刀+淝。静态测试模式和动态测试模式的测试示意图如图3-23所示。

    


   sRAM器件的单粒子翻转测试系统

   图3-22所示为sRAM器件单粒子翻转效应测试系统示意图。单片机控制被试sRAM器件的读/写,以及测试图形与预定图形的对比,并将比对结果发送给上位机并在计算机屏幕中显示出来。

   sRAM器件的单粒子翻转测试可以分为静态测试模式和动态测试模式两类,具体如下:GAL20V8B-10LPI

   静态测试模式

   试验前器件预先写入特定的测试图形,试验开始后按顺序读出每个地址位的图形与预先图形进行比较,如果存在刀不同,sEU翻转计数为刀,通过UsB数据传输到远程控制机上显示出来。数据出现翻转后,作为后续的基础状态,后续读出的数据与之比较,相同则没有翻 转,如果存在仰不同,sEU翻转计数为刀+淝。静态测试模式和动态测试模式的测试示意图如图3-23所示。

    


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