双极器件的加速评估方法

   与MOS器件不同,双极器件的剂量率效应表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRs),也M24C16-WDW6TP就是说高剂量率辐照后的室温退火无法消除与低剂量率的差异,ELDRs效应的机理和TDE效应的机理存在很大的区别。因此,GJB548B、QJ10004及MIL-sTD-883H中给出的MOs器件的总剂量辐照试验流程(加速评估方法)将不适用于双极器件。

   目前几种主要双极器件的加速评估方法如下:①高温高剂量率辐照法;②常温变剂量率 辐照法;③变温辐照法;④氢气浸泡辐照法等。上述四种双极器件的加速评估方法仅适用于某些特定的器件,并不具备普遍适用性。

   因此,对于双极器件的总剂量辐照试验,一般采用低剂量率的方式进行辐照试验。

   宇航用半导体器件评估试验方法

   宇航用半导体器件评估试验方法主要包含如下内容:①剂量率和试验流程的选择;②偏置条件的确定;③电参数测试的要求;④其他通用要求。

   1)剂量率和试验流程的选择

   由前文的介绍可以看出,剂量率对MOs器件和双极器件的影响完仝不同,MOS器件表现为TDE效应,大部分双极器件表现为ELDRS效应;MOs器件可以采用通用的加速评估方法来模拟宇航低剂量率辐射环境的辐照损伤,而大部分双极器件只能采用低剂量率辐照的

方式来评估低剂量率辐照损伤。也就是说,器件的类型和工艺决定辐照剂量率和试验流程的选择。

   剂量率的选择如表3-9所示。对同一批器件进行多次辐照试验和电参数测试时,辐照剂量率可以不同,但剂量率的变化不应超过10%。

   宇航用半导体器件的试验流程分为两种:MOs器件的试验流程(见图3-12)和双极器件的试验流程(见图3-13)。

   图3-13 双极器件试验流程

  必须指出,剂量率的选择在一定程度上决定着试验流程的选择。表3-10所示为几种半导体器件进行电离总剂量辐照试验时的剂量率及试验流程的选择。