由于温度的升高将会加速氧化物陷阱电荷的退火,而且温度的升高将会使界面态的生长速度增加。M24C08-WMN6TP因此,可以利用提高温度来使高剂量率辐照后的室温退火加速,进行A=1OO℃的168小时的高温退火。由于第六步是为了加速高剂量率辐照后室温退火的过程,因此,第六步经常被称为MOS器件加速退火试验。

   但是如果辐照到规定剂量直接进行加速退火试验,由于氧化物陷阱电荷对温度极度敏感,将会使笳速退夂试验后的氧化物陷阱电荷的数量要小于室温退火数量。为了补偿高温加速退火试验中额外发生退火的氧化物陷阱电荷的数目,需要在进行高温加速退火之前进行50%的过辐照,以进行补偿。

   第三步中辐照到规定总剂量进行测试,若测试不合格,可以经过一段时间的室温退火后再行测试。这主要是因为高剂量率辐照后产生的氧化物陷阱电荷要明显高于低剂量率辐照,为了防止多出这部分的氧化物陷阱电荷引起的误判,允许经过室温退火后再进行测试。