MOS器件的加速评估方法

在GJB548B-20“、QJ1O004―2008及MIL-STD-883H中给出了MOS器件的总剂量辐照试验流程(加速评估方法),具体流程如图3-12所示。 M24C04-WMN6TP

   第一步:辐照剂量率选用高剂量率50~300rad(si)。

   第二步:辐照到规定的总剂量。

   第三步:进行电参数测试,若合格,则进行第五步;不合格,则进行第四步。

   第四步:进行7天的室温退火后,进行电参数测试,若合格,则进行第五步,不合格,则判为不合格。

   第五步:进行50%的过辐照。

   第六步:进行几=100℃的168小时的高温退火。

   第七步:进行电参数测试。

   MOs器件的剂量率效应是时间相关效应,即高剂量率辐照加与低剂量率辐照等时的室温退火可以等效低剂量率的辐照损伤。也就是说时间相关效应是由于剂量率不同,所需辐照时问的长短不同,使辐照期间产生的氧化物电荷和界面态的数量存在差异。而且在高剂量率辐照后保持与辐照相同的偏置条件经过与低剂量率辐照到相同总剂量所需的时间的退火后,将会消除这种差异,最终高剂量率辐照损伤与低剂量率辐照上接近。