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国内相关标准调研分析

发布时间:2019/5/14 20:36:13 访问次数:4405

   国内相关标准调研分析

   在半导体器件总剂量辐照试验方面,国内主M24C02-WDW6TP要'总剂量辐照试验标准如表3-6所示。

  

   表⒊6 国内总剂量辐照试验标准及方法

   GJB548B(等同MIL883)方法1019、GJB128A方法1019是现行的集成电路及分立器件总剂量辐照试验方法。QJ10OO4宇航用半导体器件总剂量试验方法是国内最新推出的针对宇航用半导体器件的总剂量辐照试验和程序。表3-7'总结了GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ10004的不同之处。 lf以看出,GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ1OO⒄在试验的退火条件、试验时序及辐射过程中的温度和测试温度等存在差别。

  表⒊7 元器件总剂量辐射试验标准分析

  

 



   国内相关标准调研分析

   在半导体器件总剂量辐照试验方面,国内主M24C02-WDW6TP要'总剂量辐照试验标准如表3-6所示。

  

   表⒊6 国内总剂量辐照试验标准及方法

   GJB548B(等同MIL883)方法1019、GJB128A方法1019是现行的集成电路及分立器件总剂量辐照试验方法。QJ10OO4宇航用半导体器件总剂量试验方法是国内最新推出的针对宇航用半导体器件的总剂量辐照试验和程序。表3-7'总结了GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ10004的不同之处。 lf以看出,GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ1OO⒄在试验的退火条件、试验时序及辐射过程中的温度和测试温度等存在差别。

  表⒊7 元器件总剂量辐射试验标准分析

  

 



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