氧化物陷阱电荷的特性

   如上所述,氧化物陷阱电荷是由于空穴在界面处被空穴陷阱俘获所形成的,带正电荷。

   在电离辐射过程中,IC61LV6416-12T氧化物陷阱电荷将会快速地大量产生,但是辐射产生的氧化物陷阱电荷并非永久保持着,而是会经历一个与时间相关的退火过程。氧化物陷阱电荷的退火过程,实际上就是氧化物陷阱电荷消失的过程。氧化物陷阱电荷的退火过程主要分为隧道退火和热退火。隧道退火指的是由于衬底中的自由电子的隧穿效应,进入so2中与氧化物陷阱电荷复合的过程,此过程与界面势有关,也即与外加偏置有关。热退火指的是空穴受热激发到价带而脱离陷阱的过程,此过程与温度有很大的关系。

   研究表明,室温下氧化物陷阱电荷就会发生缓慢的退火效应,当温度达到lOO℃时,氧化物陷阱电荷将会发生大量退火。在电离辐射的过程中,氧化物陷阱电荷的产生和退火是两个相对独立而又同时存 在的过程。电离辐射结束后,氧化物陷阱电荷也会继续退火。

   界面态的特性

   辐射感生界面态的过程,就是Si-s⒑2界面处存在大量弱键在辐射作用阝断裂成悬挂键的过程。界面态可以分为施主型和受主型两类。辐射感生界面态所带电荷的极性与衬底Si的掺杂有关。辐射感生界面态的产生和氧化物陷阱电荷不一样,辐射感生界面态的产生与时间有很大的关系,而且在电离辐射结束后也依然会产生。而且常温下,辐射感生界面态的生成速率非常缓慢。另外,辐射感生界面态的退火和氧化物陷阱电荷也不一样。研究表明,辐射感生界面态在常温下并不发生退火效应,当温度高于125℃时,辐射感生界面态才会开始发生退火效应。