应用于卫星或空问飞行器等电子系统中的半导体器件,将会不可避免地受到空间辐射环境的影响。IC61LV12816-10T空问辐射环境主要来源有3个:①地磁场俘获带(也称范・艾伦辐射带(喃n Allcll Bc⒒)),主要由电子和质子组成;②太阳宇宙射线,主要由质子(90%~95%)和氦粒子组成;③银河宇宙射线,主要由质子(85%)、氦粒子(1%)和高能重粒子(1%)组成。

   复杂的空问辐射环境将会对应用于航天电子系统中的半导体器佣产生辐射效应,从而引起半导体器件的性能退化甚至是功能失效,最终将严重影响航天器的可靠性及在轨寿命。太空辐射环境对半导体器件的辐射破坏主要有3种方式:0电离总剂量辐射效应(TotalIoni犭ng Dose,TID);②单粒子效应(Shglc Evcnt E⒒cts,sEEs);③位移损伤()splaccment Damagc,DD)c其中,质子主要产生总剂量电离损伤、单粒子效应和位移损伤,电子主要产生总剂量电离损伤,而高能粒子主要产生单粒子效应。另外,电离总剂量辐射效应和单粒子效应统称为电离效应。

   半导体器件作为航天器的基本组成单位,其抗空间辐射能力的强弱在很大程度上诀定了在轨航天器的使用寿命和可靠性。因此,在恶劣的空间辐射环境下,为保证航天器的安全可靠性和确保飞行任务的顺利实现,必须选用达到相应辐射等级的半导体器件。空间环境辐射试验技术是在地面检验半导体器件抗空间辐射能力极其重要的手段,对于保证航天器的安全及可靠性具有极其重要的意义。