现代CMOS图像传感器已经发展了若干技术来克服上述灵敏度问题。这些包括:

N0910LS26

   1)用在每一个像素上的深紫外光阻微透镜[20]。

   2)通过对si02和Si3N4层的组合制作而成的内透镜21=

   3)在顶部的像素放置光波导装置22∶

   4)背照23-。

   背照式的方法已经在专业的CCD上得到应用,最近小像素CMOS图像传感器也开始采用此技术。背照式具有以下优点:

   1)近100%填充因子,量子效率非常高。

   2)光介质层少,角度依赖性低,光学串扰小。

   3)背入射面(光敏感部分)的加工可完全独立于正面(CMOS电路)

工艺。但背照式技术的问题是:需要将硅晶圆减薄到只有几微米厚,且背面需要特殊的钝化技术,同时需要开发新的封装技术。尽管有这些问题,但像素小于1um的CMOs器件已经上市。图7.10展示了像素大小为1。甾um的CMOS传感器的扫描电子显微镜截面图。