光敏二极管被初始反向偏置到高电压
发布时间:2019/4/30 20:54:08 访问次数:1675
1)曝光开始前,光敏二极管被初始反向偏置到高电压(例如3.3Ⅴ)进行复位。复位操作是通过位于列总线上的电路实现的(未显示在图中)。为了进行像素复位,需激活行选择(RS)开关(像素寻址晶体管导通)以使像素连接到列总线。一旦像素被复位,Rs开关将被关闭,曝光就可以开始。
2)曝光时,光敏二极管的n+区域(阴极)保持悬浮状态。人射光子被硅吸收从而产生电子-空穴对。光敏二极管n+~p结两端的电场将使这两种载流子分离。其中,电子将移动到光敏二极管的n+侧,空穴将移动到光敏二极管p衬底侧。此时,光敏二极管的反向电压将会减小。
3)曝光结束时,测量光敏二极管两端的剩余电压,其相对比于初始电压的压降可用于衡量曝光时间内落在光敏二极管上的光子的数量。需要明确的是,在测量光敏二极管两端电压时需激活RS开关。
4)光敏二极管再次被复位以准备下次曝光。
1)曝光开始前,光敏二极管被初始反向偏置到高电压(例如3.3Ⅴ)进行复位。复位操作是通过位于列总线上的电路实现的(未显示在图中)。为了进行像素复位,需激活行选择(RS)开关(像素寻址晶体管导通)以使像素连接到列总线。一旦像素被复位,Rs开关将被关闭,曝光就可以开始。
2)曝光时,光敏二极管的n+区域(阴极)保持悬浮状态。人射光子被硅吸收从而产生电子-空穴对。光敏二极管n+~p结两端的电场将使这两种载流子分离。其中,电子将移动到光敏二极管的n+侧,空穴将移动到光敏二极管p衬底侧。此时,光敏二极管的反向电压将会减小。
3)曝光结束时,测量光敏二极管两端的剩余电压,其相对比于初始电压的压降可用于衡量曝光时间内落在光敏二极管上的光子的数量。需要明确的是,在测量光敏二极管两端电压时需激活RS开关。
4)光敏二极管再次被复位以准备下次曝光。
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