集成线圈的偏置电流也是方波调制的
发布时间:2019/4/24 21:30:38 访问次数:1071
集成线圈的偏置电流也是方波调制的,调制频率的一半用于传感器偏置的调制。因此,霍尔金属盘能够将由线圈产生的参考磁场BREF的响应从系统偏置的外部磁场BExT的响应中区别开。相应放大的霍尔电压的3个分量被3个解调器检测。偏移分量%FFsET被反馈到放大器A。这个负反馈回路防止放大器的输出由于偏移而产生太大的增益而超过目标信号。对应参考磁场,分量‰EF是霍尔金属盘灵敏度的一个测量值,并且用来调节调制偏置电流的振幅,以获得一个明确定义的预期灵敏度。最终,与外部磁场相关联的分量通过低通滤波器来消除寄生的调制分量。其结果是电压增益正比于外部磁场非常小的偏移和增益误差。例如,设计的测量增益随温度变化只有30×106/℃,超过一个数量级,少于典型的无补偿漂移500×106/℃。
图216 自校准偏置和灵敏度偏差的霍尔传感激励器框图
集成线圈的偏置电流也是方波调制的,调制频率的一半用于传感器偏置的调制。因此,霍尔金属盘能够将由线圈产生的参考磁场BREF的响应从系统偏置的外部磁场BExT的响应中区别开。相应放大的霍尔电压的3个分量被3个解调器检测。偏移分量%FFsET被反馈到放大器A。这个负反馈回路防止放大器的输出由于偏移而产生太大的增益而超过目标信号。对应参考磁场,分量‰EF是霍尔金属盘灵敏度的一个测量值,并且用来调节调制偏置电流的振幅,以获得一个明确定义的预期灵敏度。最终,与外部磁场相关联的分量通过低通滤波器来消除寄生的调制分量。其结果是电压增益正比于外部磁场非常小的偏移和增益误差。例如,设计的测量增益随温度变化只有30×106/℃,超过一个数量级,少于典型的无补偿漂移500×106/℃。
图216 自校准偏置和灵敏度偏差的霍尔传感激励器框图
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