H5TQ2G63BFR-RDC

   四苯基硅烷衍生物是一类具有较高能隙。的惰性材料,即它们HOMO能级非常低6.3~7.2eV),而载流子输运特性不好。将这类材料用于磷光的主体材料的研究也有报道113气180,192,193l。UGH1、UGH3、UGH2、 BsB及BsT是一些四苯基硅烷衍生物的分子结构。由 于这类材料极低的HOMO能级和较差的导电性,基于它们和磷光掺杂材料的器件,驱动电压通常很高,器件机制通常为载流子直接在掺杂材料上的捕获。例如,基于BsB和FIrpytz的蓝色PhOLED,最大效率为19.3%、37,8od/A、16,81m/W, 器件的开启电压为5,1Vl1刈。

    荧光配合物也可以用作磷光的主体材料,包括到、BelbqJ19sl、

及Beωp)2m剑。使用荧光配合物作为主体材料的器件通常驱动电压较低,并且器件结构简单。由于三线态能级不够高,它们作为蓝

色磷光的主体材料较为困难。基于Zn(BTP)2(ET=2,5eV)和△(piq)3的红光器件效率为8,6cd/A(8,81m/W及10,3%)。研究表明,Berbq)2具有电子传输特性,且分子单线态与三线态之间的差别较小。基于Be(bq)2和k(piΦ3的器件可采用非常简单的双层结构,器件效率为9.7cd/A6,91WW)o类似地,基于Belpp)2和k(ppy)3的器件也可采用双层结构,器件效率为38,3cd/A←6,61WW)。 如前面所提,如果主体材料是磷光发射材料,通过适当选择,从主体材料到磷光掺杂材料的能量转移,可通过快速且长距离的F打ster过程实现。

由此,可以避免在PhOLED中通常需要的高掺杂浓度。另外,使用磷光主体材料的另一个优点是器件的驱动电压通常较低。因为理论上,对于相同的三线态能级,磷光材料的能隙要小于荧光材料,因此磷光主体材料的HOMO能级较浅,或者LUMO能级较深,有助于空穴或者电子的注人,导致较低的驱动电压。然而,由于磷光材料较昂贵,不适合做主体材料,基于磷光主体材料的器件研究较少。较早的工作包括以L(ppy)3作为红光铂配合物的主体材料的研究。