FA1105C-1105-TR

   三层器件结构

    为了更进一步优化器件结构,提高器件性能,人们提出了三层器件结构,主要包括两种情形,如图5.29所示。第一种三层器件由阳极、HTL、发光层GMV、ETL、阴极依次构成;另一种三层器件由阳极、发光的HTL、限制层、发光的ETL、阴极依次构成。前一种器件中,中间是发光层,其特点是HTL较高的LUMO对电子由EML进一步向HTL方向的输运起到阻挡作用,而ETL较低的HOMO对空穴由EML进一步向ETL方向的输运起到阻挡作用。后一种器件中,中间层是载流子限制层,它对正负两种载流子的输运都起到部分的限制作用,即部分地限制空穴由HTL进人 TL,并且部分地限制电子由ETL进人HTL,结果使HTL和ETL都发生载流子复合,并产生光发射。对于前一种三层器件,其优点是可将载流子复合区域较好地限制在器件中部的EML内,提高了复合效率,并防止了电极对激子的猝灭。该结构的另一个优点是,每层分别起―种作用,可选择材料的范围比较宽泛,器件的优化也较为容易。对于后一种三层器件,除了具有双层器件的优点外,还通过中间限制层的作用,使器件产生两个发光区域,产生不同的光色,这样的结构也是获得白光的一种方法p到。由于限制层需要同时具有限制空穴向阴极方向和限制电子向阳极方向迁移的作用,因此它必须具有较低的HoMO和较高的LUMo能级。