HCPL-0501-500E

   载流子复合产生激子及其光辐射衰减过程

   OLED器件中,载流子复合形成激子的过程包括两个步骤:电子/空穴由于能量上与材料LUMo/HoMO能级相当,而被俘获,形成带电极化子,该极化子倾向于俘获相反电荷,形成激子。激子存在的形式有多种可能性,诸如受激分子、不同分子间的电子转移复合物、相同分子间形成的基激二聚物等。有关激子在有机材料中,发生的包括光辐射在内的多种衰减过程,可参考第二章的相关内容。oLED器件中,激子所在区域与器件结构关系密切,激子发生光辐射跃迁的发光,也有一定的特征。图5.21为oLED器件通过注人正负载流子、复合、产生光辐射的示意图。

   载流子复合区域与器件中空穴和电子的迁移率密切相关,同时也受器件能级结构的制约。不同结构的器件,载流子复合区域有多种情形,如,①靠近阴极;②在电子传输层内;③在中间发光层内;④既在空穴传输层,又在电子传输层;⑤由于阻挡层对激子/空穴的阻挡作用,复合区域被限制在空穴传输层。关于不同器件结构的载流子复合区域情况将在下面的器件结构部分讨论。