HA66T68

   p型化学掺杂型缓冲层

   在ITO和空穴传输材料层之间嵌入一层p型化学掺杂空穴注人材料,可以增强空穴注入。其机制是由于掺杂使主体材料的电子转移到客体分子上,因而在主体材料中产生自由空穴,增加了阳极与有机薄膜的欧姆接触特性。另外,p型掺杂形成的空穴聚集界面使p掺杂区域的能带向下弯曲,ITO处的空穴通过隧穿注人到有机薄膜的几率增大,如图5,12所示。

   图5.12 p型化学掺杂产生的欧姆接触特性增强和电接触处的能带弯曲因此,在OLED器件结构的传输材料层内,适当地引入掺杂缓冲层可以提高器件的导电性能、提供欧姆接触、有助于载流子的注人,从而大幅度地改善器件的性能。例如,提高器件的功率效率和降低驱动电压。J,Huang等报道了一个使用n型和p型掺杂的空穴和电子传输层的oLED器件,在2.9V时,就可以达到1000cd//m2的亮度⒓叨。用于p型掺杂的材料有TCNQ,3,5,⒍四氟7,7,8,8-四氰基醌二甲烷q、氧化剂SbC15卩11和I2、氧化物WO3、Re03、MoO等。