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    产生空穴隧穿的绝缘缓冲层

   在ITO表面修饰一薄层绝缘材料,如聚四氟乙烯Ceno11)四、类金刚石Θiamond lke carbon,DL、氟化锂等,均可调控空穴注入、提高器件效率,但是对驱动电压的影响不一该绝缘层有一个优化厚度。如图5,11所示,一种解释认为,绝缘层修饰本身产生一个偶电层,导

致了空穴由ITo注人绝缘层的势垒,同时该偶电层使ITO与空穴传输层fNP⑴之问的注人势垒降低(比较图5.11)。很薄绝缘层产生的势垒可通过隧穿效应克服,因而ITo与空穴传输层NPB之间势垒的降低有利于注人。随着绝缘层厚度增大,偶电层形成的静电势也增大,ITO与NPB之间的注人势垒进一步减小,同时由ITo注人到绝缘层的势垒增大,隧穿变得困难。因此存在这样一个最佳厚度,即器件总注入势垒最小时的绝缘层厚度(图5.11)。此时,再增加绝缘层厚度,ITO与绝缘层之间注人势垒的增大,将大于ITO与NPB之间注人势垒的减小,因此器件驱动电压将会上升(图5,11)。