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   酸碱吸附及自组装单分子层

   研究发现,ITO表面的酸碱吸附可以很大程度地改变功函数。酸处理ITO表面可以增大功函数,相应地,碱处理可以减小功函数,功函数的变 化可高达+0,7eV,磷酸(炖Po4)及四-丁基氢氧化铵lNc4H9)40H]分别是效果最大的酸和碱。图5,9给出了作用机制及上述酸碱的分子结构。当ITO表面吸附酸时,表面将被质子化,同时阴离子将被吸附在质子之上,由此形成了远离ITo的偶电层,该偶电层使电子的势能减小,因此ITo功函数增大。

    同样地,当ITO表面吸附碱时,将形成指向ITo的偶电层,因此电子势能增大,功函数减小。虽然酸碱处理对ITO功函数影响显著,但是在OLED器件中,该方法的稳定性较差。例如,当空穴传输材料NPB(4,华bislN《1-naphthyl)ˉNˉphenylˉamino]biphenyD制各于酸处理ITO之上时,由于NPB中氮原子与酸中氢原子作用破坏了偶电层,ITO功函数将减小。

    除了酸碱吸附,ITO表面的功函数还可以通过自组装单分子层(selfassembly monolayer,sAM)形成的偶电层来改变。例如,在ITO表面自组装的⒋NPPA g-ni订ophenylphosphonic acidJ远离表面的偶电层,可以使功函数增加0.3eV⒓四。氯化硅烷可以在ITO表面通过硅原子与ITO中氧原子形成共价键,形成远离表面的非常稳定的偶电层,可在提高ITO功函数的同时,增加器件稳定性和寿命⑿1]。自组装单分子层虽然可以有效地修饰阳极注人电极,提高器件性能。但是由于ITO表面的粗糙度很高,在其表面形成长程有序的单分子层比较困难。