FA7703V-H1-TE1

   最初的研究显示,NTCDA、PTCDA,以及没有取代基的二酰胺分子

NTCDI的n型场效应迁移率分别为10ˉ3、1Cl4、1fl3cm2/(V・s严叨。近年来,这类n型有机半导体材料的研究主要集中在芳基二酰亚胺衍生物,因为通过结构裁剪可以获得多种大气环境下稳定的n型半导体材料。例如,通过氟化烃基团在NNL位置的取代,大气环境下稳定的场效应迁移率为0~0.1cm2/(V・s)的芳环二亚酰胺衍生物见诸报道lTO^9zl。B.A。Jones等研究了―系列在NDTα和PDTCI的中心芳环含有强吸电子取代基团的衍生物卩η,得到场效应迁移率对大气环境稳定的n型半导体材料,PDTCI-8CN2和NDTCIˉ8CN2,它们的场效应迁移率分别为0.12、0,11cm2/(V・θ。这些N,NL氟化烃基取代、芳核-氰基取代的芳环二酰亚胺衍生物的分子结构,见图3.34。图3,34 N,N-氟化烃基取代、芳核一氰基取代的芳环二酰亚胺衍生物分子结构 将上述N,Ⅺ氟取代基的优点、芳核-氰基取代基的优点集中在一个分子,得到的产物PDCTI-FCN2(图3.35)表现出高效n型半导体特性,大气环境下得到的场效应迁移率为0,“cm2/(V・s尸ZIl。单晶数据显示,PDCTIˉFCN2分子的中心芳核存在大约5°的扭转角,分子呈现略微错开的面-面堆积模式,两 这些数据表明,将空间尺寸较小的氰基连接到中心芳核上,对分子堆积的影响不大,但是由于氰基的强吸电子作用,使材料表现出稳定电子的能力。分析芳环二酰亚胺衍生物,可以得出两种提高大气环境下材料场效应迁移率的设计策略。