HA12185NT

   一般地,高迁移率可保证较快的器件开关响应速度,器件的电流开/关比也会较大。另外,电流开/关比对栅电压有很强的依赖性,因此比较两个 器件的开/关比,要在相同的栅电压下进行。

    在本章的开始,我们已经讲过场效应晶体管是应用最广泛的电子器件,有多种应用。不同应用所要求的参数性能也不尽相同,对于以电池为电源的器件,因为希望低能耗,所以要求阈值电压为几伏;对于集成电路,例如主动式液晶显示,为了更好地区别晶体管的开和关两个状态,以达到良好的视觉效果,需要高性能oFET,即电流开/关比例要高于106、场效应迁移率大于0.1cm2对于其他可能的应用,通常要求迁移率不小于开关比大于103。下面对场效应晶体管的各个参数分别进行阐述。

   线性区域、饱和区域和夹断电压(IiⅡear regioⅡ,satum】on region,pinchˉoff vOItage)如果固定场效应晶体管的栅电压,对器件进行漏电压扫描,可获得电流漏电压曲线frD~‰),该曲线反映了器件的输出特性。图中可以看出,输出电流的大小随着栅电压的增大而增大。当没有加载栅电压时,就没有输出电流,器件处于关状态(cutofO。这点比较容易理解,在场效应晶体管中,由于沟道的导电性正比于电荷数目,而电荷数目正比于栅电压,因此器件导电性随栅电压的增大而提高。