H0068NLT

    n型和p型有机场效应晶体管

    根据器件中主要载流子的极性,有机场效应晶体管可以分为导通空穴的p通道和导通电子的n通道两类。在少数情况下,如果使用的有机半导体是双极性的lambipolarJ,器件可能会既导通电子又导通空穴。如图3.5所示,是p通道和n通道的场效应晶体管基于聚集模式时的工作情况。在p通道器件中(图右侧),当栅极加载足够大的负向电压时,有机半导体沟道内将出现诱导空穴,漏极处加载的负向电压可以使沟道内的空穴向漏极移动,产生空穴电流c在n通道器件中(图左侧),当栅极加载足够大的正向电压时,有机半导体沟道内将出现诱导电子,漏极处加载的正向电压可以使沟道内的电子向漏极移动,形成电子电流。

   值得注意的是,图3.5所示的n型和p型有机半导体与无机n型和p型

半导体有很大的区别。无机材料的n型和p型分别指的是通过掺杂,在半导体内产生出过剩电子和空穴的情况。而有机半导体的n型和p型分别指材料的LUMO和HoMO能级上比较容易注人电子或者空穴的情形;同时n型材料由于拉电子特性比较容易得到电子,从而产生电子的跃进式移动,p型材料由于推电子特性而比较容易失去电子,所产生的空穴可以跃进式移动。因此有机半导体中的载流子是注人型的。同前面所述一致,正是由于有机半导体中载流子的注入特性,有机场效应晶体管通常工作在聚集模式下。另外,这里所说的n型和p型有机半导体,在有机电致发光器件中分别对应于电子传输(注人)和空穴传输(注入)材料。