栅极与沟道之间的PN结反向击穿时的栅源电压
发布时间:2019/4/7 13:51:52 访问次数:1348
栅源击穿电压助Gs:栅极与沟道之间的PN结反向击穿时的栅源电压。
漏源击穿电压斫:DDs:使沟道发生雪崩击穿引起fD急剧上升时的吣s值。由于加到栅漏之 间PN结的反向电压为arGf幻s,所以cJGs越负。Ⅱ越小。
最大漏极耗散功率PDM:场效应管漏极耗散功率PD=fD〃Ds,这一耗散功率将使管子温 度升高。为了限制管子的温度,应限制管子耗散功率不大于PDM。显然,PDM的大小与环境温 度有关。
场效应管除了按上述方式分类外,还可分为高压型场效应管、开关场效应管、功率MOs场效应管、高频场效应管及低噪声场效应管等类型。 阈值电压:是指当吣s恒定时,使漏极电流。≈0的aJGs电压。增强型场效应管的阈值电压用汕表示,又称为开启电压;耗尽型场效应管的阈值电压用已祗,。ff表示,又称为夹断电压。饱和漏电流bss:是指耗尽型场效应管在恒流区(幻s|≥|幻「呒s,涮)aJGs=0时的。值。通常规定z/Gs=0,幻s=10V时测出的漏极电流为rDss◇直流输入电阻RGs:是指漏源极短路时栅极直流电压I/Gs与栅极直流电流的比值。结型场 效应管的直流输入电阻为10:~1012Ω,MOs场效应管的直流输入电阻为10IO~1015Ω。
跨导gm:反映了栅极电压对漏极电流的控制能力,是表征场效应管放大能力的重要参数。 动态漏极电阻rds:是指在恒流区,当笏Gs,aJ:s为常数时,幻s微变量与圮微变量之比, 其大小反映了漏源电压吣s对漏极电流圮的控制能力。'ds一般为数千欧姆到数百千欧姆。 极间电容:场效应管D,G,S,B各极之间都存在极间电容,它们是%d、qs、cds、咣b、 仇s、Cdb,这些电容的存在,将影响场效应管的高频性能,其值越小越好。
栅源击穿电压助Gs:栅极与沟道之间的PN结反向击穿时的栅源电压。
漏源击穿电压斫:DDs:使沟道发生雪崩击穿引起fD急剧上升时的吣s值。由于加到栅漏之 间PN结的反向电压为arGf幻s,所以cJGs越负。Ⅱ越小。
最大漏极耗散功率PDM:场效应管漏极耗散功率PD=fD〃Ds,这一耗散功率将使管子温 度升高。为了限制管子的温度,应限制管子耗散功率不大于PDM。显然,PDM的大小与环境温 度有关。
场效应管除了按上述方式分类外,还可分为高压型场效应管、开关场效应管、功率MOs场效应管、高频场效应管及低噪声场效应管等类型。 阈值电压:是指当吣s恒定时,使漏极电流。≈0的aJGs电压。增强型场效应管的阈值电压用汕表示,又称为开启电压;耗尽型场效应管的阈值电压用已祗,。ff表示,又称为夹断电压。饱和漏电流bss:是指耗尽型场效应管在恒流区(幻s|≥|幻「呒s,涮)aJGs=0时的。值。通常规定z/Gs=0,幻s=10V时测出的漏极电流为rDss◇直流输入电阻RGs:是指漏源极短路时栅极直流电压I/Gs与栅极直流电流的比值。结型场 效应管的直流输入电阻为10:~1012Ω,MOs场效应管的直流输入电阻为10IO~1015Ω。
跨导gm:反映了栅极电压对漏极电流的控制能力,是表征场效应管放大能力的重要参数。 动态漏极电阻rds:是指在恒流区,当笏Gs,aJ:s为常数时,幻s微变量与圮微变量之比, 其大小反映了漏源电压吣s对漏极电流圮的控制能力。'ds一般为数千欧姆到数百千欧姆。 极间电容:场效应管D,G,S,B各极之间都存在极间电容,它们是%d、qs、cds、咣b、 仇s、Cdb,这些电容的存在,将影响场效应管的高频性能,其值越小越好。
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