继电器驱动和高增益放大电路中使用的达林顿管
发布时间:2019/4/7 13:49:08 访问次数:3674
达林顿管的合理选用:达林顿管广泛应用于音频功率输出、开关控制、电源调整、继电器驱动和高增益放大等电路中。继电器驱动和高增益放大电路中使用的达林顿管,可以选用不带保护电路的小、中功率普通达林顿管;而音频功率输出、电源调整等电路中使用的达林顿管,可选用大功率、大电流型普通达林顿管或带保护电路的大功率达林顿晶体管。
用R×100挡,测量达林顿管E,B极之间的正、反向电阻值,正常时均为几百欧姆至几千欧姆(具体数值与B,E之间两只电阻器的阻值有关),若测得阻值为0或为无穷大,则说明该管损坏。用万用表的R×1k挡或R×10k挡,测量达林顿管E,C极之间的正、反向电阻值,正常时,正向电阻应为5~15kΩ,反向电阻值应为无穷大,否则,说明该管E,C极击穿或开路损坏。
场效应管是一种电压控制电流型半导体器件,具有输入阻抗高(大于10:Ω)、温度稳定性好、抗辐射能力强、功耗低和便于集成等一系列优点。
场效应管按结构可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管(也称MOS管)。它们按结构及工作方式可分为N沟道耗尽型结型场效应管、P沟道耗尽型结型场效应管、N沟道耗尽型绝缘栅型场效应管、P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管、N沟道增强型绝缘栅型场效应管和P沟道增强型绝缘栅型场效应管。
达林顿管的质量判别:判别达林顿管的质量好坏,可使用万用表的R×1k挡或R×10k挡 测量各电极之间的正、反向电阻值。对普通型达林顿管来说,正常时C,B极之间的正向电阻值 与普通硅晶体管集电结的正向电阻值相近,为3~30kΩ,反向电阻值为无穷大;而E,B极之间 的正向电阻值是C,B极之间正向电阻值的2~3倍,反向电阻值为无穷大;C,E极之间的正、 反向电阻值均应接近无穷大。若测得C,E极之间的正、反向电阻值或C,B,E,B极之间的正、 反向电阻值均接近于0,则说明该管已击穿损坏;若测得C,B极或E,B极之间的正、反向电阻 值为无穷大,则说明该管已开路损坏。对大功率达林顿管来说,由于它是在普通型达林顿管的基 础上增加了由续流二极管和泄放电阻组成的保护电路后形成的,所以测量时,必须考虑这些元器 件对测量数据的影响。正常时C,B极之间的正向电阻值应该较小,为1~10kΩ,反向电阻值为 无穷大。若测得C,B极之间的正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明该管已击穿短路或 开路损坏。
达林顿管的合理选用:达林顿管广泛应用于音频功率输出、开关控制、电源调整、继电器驱动和高增益放大等电路中。继电器驱动和高增益放大电路中使用的达林顿管,可以选用不带保护电路的小、中功率普通达林顿管;而音频功率输出、电源调整等电路中使用的达林顿管,可选用大功率、大电流型普通达林顿管或带保护电路的大功率达林顿晶体管。
用R×100挡,测量达林顿管E,B极之间的正、反向电阻值,正常时均为几百欧姆至几千欧姆(具体数值与B,E之间两只电阻器的阻值有关),若测得阻值为0或为无穷大,则说明该管损坏。用万用表的R×1k挡或R×10k挡,测量达林顿管E,C极之间的正、反向电阻值,正常时,正向电阻应为5~15kΩ,反向电阻值应为无穷大,否则,说明该管E,C极击穿或开路损坏。
场效应管是一种电压控制电流型半导体器件,具有输入阻抗高(大于10:Ω)、温度稳定性好、抗辐射能力强、功耗低和便于集成等一系列优点。
场效应管按结构可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管(也称MOS管)。它们按结构及工作方式可分为N沟道耗尽型结型场效应管、P沟道耗尽型结型场效应管、N沟道耗尽型绝缘栅型场效应管、P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管、N沟道增强型绝缘栅型场效应管和P沟道增强型绝缘栅型场效应管。
达林顿管的质量判别:判别达林顿管的质量好坏,可使用万用表的R×1k挡或R×10k挡 测量各电极之间的正、反向电阻值。对普通型达林顿管来说,正常时C,B极之间的正向电阻值 与普通硅晶体管集电结的正向电阻值相近,为3~30kΩ,反向电阻值为无穷大;而E,B极之间 的正向电阻值是C,B极之间正向电阻值的2~3倍,反向电阻值为无穷大;C,E极之间的正、 反向电阻值均应接近无穷大。若测得C,E极之间的正、反向电阻值或C,B,E,B极之间的正、 反向电阻值均接近于0,则说明该管已击穿损坏;若测得C,B极或E,B极之间的正、反向电阻 值为无穷大,则说明该管已开路损坏。对大功率达林顿管来说,由于它是在普通型达林顿管的基 础上增加了由续流二极管和泄放电阻组成的保护电路后形成的,所以测量时,必须考虑这些元器 件对测量数据的影响。正常时C,B极之间的正向电阻值应该较小,为1~10kΩ,反向电阻值为 无穷大。若测得C,B极之间的正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明该管已击穿短路或 开路损坏。