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   最大反向击穿电压:最大反向击穿电压是指晶体管工作时所允许施加的最高电压,包括集电极一发射极反向击穿电压%:vα。、集电极一基极反向击穿电压。、发射极一基极反向击穿电压。

   频率特性:当晶体管应用于高频电路时,必须考虑频率特性参数。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率为和最高振荡频率/.I等。

     特征频率丘:特征频率/T是指晶体管的'值下降为1时所对应的频率。通常将丘≤3MHz的晶体管称为低频管,将3MHz≤功≤30MHz的晶体管称为中频管,将为≥30MHZ的晶体管称为高频管。最高振荡频率/NI:最高振荡频率屁是指晶体管的功率增益下降为1时所对应的频率。

    晶体管的种类很多,下面仅就电子系统设计中较为常用的晶体管迸行介绍。

    低、中频小功率晶体管。低、中频小功率晶体管主要用于工作频率较低,功率在1W以下的低频放大和功率放大等电路中。低、中频大功率晶体管。低、中频大功率晶体管一般用在电视机、音响等家用电器中作为电源调整管、开关管、行输出管、场输出管、功率输出管或用在汽车电子点火电路、不间断电源(UPS)等系统中。

    高频晶体管:高频晶体管分为高频小功率晶体管和高频大功率晶体管。高频小功率晶体管:高频小功率晶体管一般用于工作频率较高、功率不大于1W的放大、振荡、混频控制等电路中。集电极最大耗散功率PcM:集电极最大耗散功率PcM是指晶体管参数变化不超过规定允许 值时的最大集电极耗散功率。使用三极管时,实际功耗不允许超过PcM值,否则会造成管子因过 热而烧毁。所以,为了保证三极管的安全运用,通常还应留有一定的裕量。 反向饱和电流:晶体管的反向饱和电流包括集电极一基极之间的反向饱和电流rc:cl和集电极一 发射极之间的反向击穿电流FcEc,。反向饱和电流对温度较敏感,其值越小,晶体管的温度稳定性越好。