半桥是由两只整流二极管封装为一体构成的
发布时间:2019/4/6 19:33:00 访问次数:3808
半桥:半桥是由两只整流二极管封装为一体构成的,有三端和四端之分,其内部电路分别如图269(Θ、lb)所示。由图显而易见,用一只半桥可以组成全波整流电路,用两只半桥可以组成桥式全波整流电路。常用的半桥有1/2QL系列。
二极管的质量判别:判别普通=极管的质量时,通常首先检测其单向导电性能。一般说来, 锗二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300kΩ左右。硅二极管的正向电阻值为5kΩ左 右,反I司电阻值为无穷大。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阳值相左越悬殊, 说明二极管的单向导电性能越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近于0或阻值很小,说明二极管内部已击穿短路或漏电损坏;若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明二极 管内部已开路损坏。对整流工极管,除了确定其单向导电性能完好以外,还斋检测工极管的反向 击穿电压。检测工极管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表来测量。具体方法是:将测 试表的“NPN/PNP”选择键置为NPN状态,再将被测工极管的正极插入测试表的“C”插孔,负 极插入测试表的“E”插孔,然后按下键,测试表即可指示出工极管的反向击穿电压值。高压硅堆:高压硅堆是由多只硅整流管串联组成的耐高压整流器件,其最高工作反压在几千伏至几万伏之间。主要用于电子仪器、电视或雷达中。高压硅堆的外形。常用的高压硅堆有2DGL,2CGL等系列。
整流二极管的合理选用:选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电压、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率及反向恢复时间的要求不高,只要选择最大整流电流和最大反向工作电压两项参数满足电路要求的整流二极管即可。例如,可选择1N系列和2CZ系列等。开关稳压电源电路或脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用截止频率高、反向恢复时问短的整流=极管。例如,可选择RU系列和EU系列等。当买不到所选型号的整流二极管时,|J用其他型号的整流二极管代替,但前提是:最大整流电流和最大反向工作电压必须高于被代替的整流=极管。
半桥:半桥是由两只整流二极管封装为一体构成的,有三端和四端之分,其内部电路分别如图269(Θ、lb)所示。由图显而易见,用一只半桥可以组成全波整流电路,用两只半桥可以组成桥式全波整流电路。常用的半桥有1/2QL系列。
二极管的质量判别:判别普通=极管的质量时,通常首先检测其单向导电性能。一般说来, 锗二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300kΩ左右。硅二极管的正向电阻值为5kΩ左 右,反I司电阻值为无穷大。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阳值相左越悬殊, 说明二极管的单向导电性能越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近于0或阻值很小,说明二极管内部已击穿短路或漏电损坏;若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明二极 管内部已开路损坏。对整流工极管,除了确定其单向导电性能完好以外,还斋检测工极管的反向 击穿电压。检测工极管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表来测量。具体方法是:将测 试表的“NPN/PNP”选择键置为NPN状态,再将被测工极管的正极插入测试表的“C”插孔,负 极插入测试表的“E”插孔,然后按下键,测试表即可指示出工极管的反向击穿电压值。高压硅堆:高压硅堆是由多只硅整流管串联组成的耐高压整流器件,其最高工作反压在几千伏至几万伏之间。主要用于电子仪器、电视或雷达中。高压硅堆的外形。常用的高压硅堆有2DGL,2CGL等系列。
整流二极管的合理选用:选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电压、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率及反向恢复时间的要求不高,只要选择最大整流电流和最大反向工作电压两项参数满足电路要求的整流二极管即可。例如,可选择1N系列和2CZ系列等。开关稳压电源电路或脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用截止频率高、反向恢复时问短的整流=极管。例如,可选择RU系列和EU系列等。当买不到所选型号的整流二极管时,|J用其他型号的整流二极管代替,但前提是:最大整流电流和最大反向工作电压必须高于被代替的整流=极管。
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