美国模拟器件公司（Analog Devices, Inc.），全球领先的高性能信号处理半导体供应商，今日发布用于无线基础设备的射频（RF）功率检测器取得重大突破。ADI公司开发出业界首款对数RF功率检测器，它能够精确测量1 MHz～8 GHz带宽内RF信号的功率，这一带宽超过了以前的最高2.5 GHz频率的测量精度。精确地测量RF功率可以减少代价很高的RF功率发送器的尺寸和成本，并且是满足无线网络管理要求的关键因素之一。该检测器能够保证高达8 GHz的动态范围，这在以前是不可能实现的。
AD8318 这种基于半导体的单芯片检测器超过传统结构的解决方案，因为它比模块式解决方案更经济有效并且比分立的二极管检测器更精确。AD8318兼备高精度和宽动态范围的独特结合，使其适用于许多种类的无线通信基础设备，包括GSM，CDMA和W-CDMA蜂窝基站（最高工作频率为2 GHz），W-LAN 802.11 应用（要求频率5 GHz）以及点到点固定无线系统（最高工作频率为30 GHz）。
“AD8318 在输入信号带宽、速率、精度和温度稳定性方面取得重大突破，从而为RF功率测量和控制创建了新的性能水平”，ADI公司主管线性产品的副总裁Lew Counts说。“ADI公司将继续利用其自身雄厚的RF专长和世界领先的制造工艺以满足无线基础设施用户对性能和解决方案成本的严格要求。”
提高精度同时提高温度稳定性
AD8318在高达5.8 GHz的输入频率条件下提供55 d B动态范围，并且其精度优于±1 dB。在8GHz频率条件下，动态范围为58 dB并且其精度优于±3 dB。温度漂移可被精确调整到有用带宽内，在－40℃～＋85℃温度范围内其稳定性优于±0.5 dB。
提高设计灵活性
AD8318集成了一个片内温度传感器，它能够提供2 mV/℃输出电压用于额外的温度补偿和（或）系统监控。该芯片还提供8 ns最快输出响应，从而使其适合用于RF脉冲检测。
XFCB-3? 硅锗制造工艺实现8 GHz 性能
AD8318是ADI公司AD8313的下一代产品，AD8313是被高达2.5 GHz RF 功率测量广泛采用的工业标准芯片。这种新的基于对数的检测器按照ADI公司第4代结合晶片绝缘硅（SOI）XFCB（超高速互补双极型）工艺专利技术——XFCB-3? 工艺制造。XFCB-3利用0.35μm光刻技术和一只硅锗（SiGe）NPN三极管提供70 GHz fT（转折频率）和130 GHz fMAX（产生单位功率增益的最大频率）。XFCB-3工艺和ADI公司前几代革命性的XFCB工艺相比有重大改进，它比基于XFCB-2工艺制造的产品工作速度快3倍。在采用先进工艺设计的AD8318中，XFCB-3工艺能使AD8318的精度高于分立器件在较高工作频率时达到的精度和同类集成解决方案在较低工作频率时达到的精度。（转自 电子设计技术）