晶体管 ST BU508AF

产品分类三极管

分立半导体产品

封装/外壳   ISOWATT218FX  

晶体管类型  NPN

电压-集射极击穿（最大值） 700V

集电极电流Ic（最大值）8A

电流放大倍数hFE（最小值）10@100mA，

5V功率（最大值）50W

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔(THT)

ISC提供丰富宽广的双极型晶体管产品阵容，包括NPN,PNP,达林顿，电压从20V到1600V，电流从0.1A到60A，继续生产金属封装TO-3产品。 ISC创新产品TO-251、TO-252 和TO-263封装的高频高速、超低饱和压降晶体管，截止频率达到300MHz以上，tf<100ns。 ISC产品的批与批之间的差异极小，可靠性高，失效率趋近零。

BU508AF的功能、参数、电路图、封装、引脚图、PDF资料BU508AF中文资料

功能介紹 中文 :

功能介紹 英文 : Silicon Diffused Power Transistor

品牌 : Philips

封装 :

引脚 :