图1197中的IGBT是由PNP型二极管和N沟道N-IGBT,用图11砭6(d)符号表示,相应的还有P沟道IGBT,称作P-IGBT,将图11砭6(d)符号中的箭头改MOs管组合而成,这种IGBT称作

   为由E极指向G极即为RIGBT的电路符号。P4500TA由于电力电子设备中主要采用N-IGBT,下面以图1⒈27所示电路来说明N-IGBT工作原理。电源E2通过开关s为IGBT提供UGE电压,电源El经R1为IGBT提供%E电压。当开关s闭合时,IGBT  S的G、E极之间获得电压呒D只要L/GE电压大于开启 E2电压(2~6V),IGBT内部的NMOS管就有导电沟道形成,MOS管D、s极之间导通,为三极管几电流提供通路,二极管导通,有电流fc从IGBT的C极流入,经三极管发射极后分成rl和几两路电流,

r1电流流经MOs管的D、s极,几电流从三极管的集电极流出,JI、几电流汇合成JE电流从IGBT的E极流出,即IGBT处于导通状态。当开关s断开后,%E电压为0,MOs管导电沟道夹断(消失),马、乃都为0,rc、fE电流也为0,即IGBT处于截止状态。

   调节电源E2可以改变I/GF电压的大小,IGBT内部的MOs管的导电沟道宽度会随之变化,而电流大小会发生变化,由于而电流实际上是二极管的几电流,马细小的变化会引起乃电流(几为二极管的几电流)的急剧变化。例如当吮E增大时,MOs管的导通沟道变宽,马电流增大,几电流也增大,即IGBT的C极流入、E极流出的电流增大。