增强型NMOS管的结构与等效符号
发布时间:2019/2/15 20:30:12 访问次数:3179
增强型NMOS管的结构与等效符号如图11-19所示。
增强型NMOS管是以P型硅片作为基片(又称衬底),在基片上制作两个含很多杂质的N型材料,MC56F8256VLF 再在上面制作一层很薄的二氧化硅(so2)绝缘层,在两个N型材料上引出两个铝电极,分别称为漏极(D)和源极(S),在两极中间的二氧化硅绝缘层上制作一层铝制导电层,从该导电层上引出电极称为G极。P型衬底与D极连接的N型半导体会形成二极管结构(称之为寄生二极管),由于P型衬底通常与S极连接在一起,所以增强型NMOs管又可用图11△9(b)所示的符号表示。
增强型NMOS管的结构与等效符号如图11-19所示。
增强型NMOS管是以P型硅片作为基片(又称衬底),在基片上制作两个含很多杂质的N型材料,MC56F8256VLF 再在上面制作一层很薄的二氧化硅(so2)绝缘层,在两个N型材料上引出两个铝电极,分别称为漏极(D)和源极(S),在两极中间的二氧化硅绝缘层上制作一层铝制导电层,从该导电层上引出电极称为G极。P型衬底与D极连接的N型半导体会形成二极管结构(称之为寄生二极管),由于P型衬底通常与S极连接在一起,所以增强型NMOs管又可用图11△9(b)所示的符号表示。
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